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Der Mitsubishi CM150MXUD-24T ist eine Macht Modulen Wird häufig in Hochleistungsmotorantrieben, Netzteilen und Schweißgeräten verwendet. Es ist auf hohe Leistung und Zuverlässigkeit bei geringem Leistungsverlust ausgelegt. Hier sind einige wichtige Funktionen und Spezifikationen des CM150MXUD-24T-Moduls:
Merkmale:
Doppeldiodenkonfiguration für geringere Schaltverluste und verbesserte Effizienz.
Integrierter Thermistor zur Temperaturüberwachung und zum Schutz vor Überhitzung.
Vernickelte Flachsteckeranschlüsse für verbesserte Konnektivität.
Konform mit der RoHS-Richtlinie.
Technische Daten:
Kollektorstrom (IC): 150A
Sammler-Emitter Spannung (VCES): 1200 V
Maximale Sperrschichttemperatur (Tvj max): 175 °C
Konfiguration: Doppelschalter (Halbbrücke)
Anwendungen: AC-Motorsteuerung, Bewegungs-/Servosteuerung, Stromversorgung usw.
Option: PC-TIM (Phase Change Thermal Interface Material) vorab auftragen
Maximale Bewertungen:
VCES (Kollektor-Emitter Spannung, GE kurzgeschlossen): 1200V
VGES (Gate-Emitter-Spannung, CE kurzgeschlossen): ±20V
IC (Kollektorstrom, DC, TC=145°C): 150A
ICRM (Impuls, repetitiv): 300A
Pt ot (Gesamtverlustleistung, TC=25°C): 1610W
Visol (Isolationsspannung, Anschlüsse zur Grundplatte, RMS, f=60 Hz, AC 1 Min.): 4000 V
Tvj max (Maximale Sperrschichttemperatur, sofortiges Ereignis (Überlast)): 175 °C
Tc max (Maximale Gehäusetemperatur): 150 °C
Tvj op (Betriebssperrschichttemperatur, Dauerbetrieb (unter Schalten)): -40 ~ +150 °C
Tstg (Lagertemperatur): -40 ~ +150 °C
Elektrische Eigenschaften (Tv j=25°C, sofern nicht anders angegeben):
ICES (Kollektor-Emitter-Abschaltstrom, VCE=VCES, GE kurzgeschlossen): 1.0 mA
IGES (Gate-Emitter-Leckstrom, VGE=VGES, CE kurzgeschlossen): 0.5μA
VG(th) (Gate-Emitter-Schwellenspannung, IC=15 mA, VCE=10 V): 5.4 ~ 6.6 V
trr (Reverse-Recovery-Zeit): 400 ns
Qrr (Reverse Recovery Charge): 15 μC
CEon (Einschaltenergie pro Impuls): 11.6 mJ
CEoff (Ausschaltenergie pro Impuls): 15.7 mJ
Err (Rückgewinnungsenergie pro Impuls): 6.8 mJ
RCC'+EE' (Interner Leitungswiderstand, Hauptklemmen-Chip, pro Schalter, TC=25°C): 0.2 mΩ
rg (Interner Gate-Widerstand pro Schalter): 3.0 Ω
Mechanische Eigenschaften:
Montagedrehmoment (Hauptklemmen M5-Schraube): 2.5 ~ 3.5 N·m
Montagedrehmoment (Montage an der Kühlkörper-M6-Schraube): 3.5 ~ 4.5 N·m
Kriechstrecke (Klemme zu Klemme): 18.4 mm
Kriechstrecke (Klemme zur Grundplatte): 21.1 mm
Abstand (Klemme zu Klemme): 9.6 mm
Abstand (Klemme zur Grundplatte): 16.7 mm
Ebenheit der Grundplatte (auf der Mittellinie): ±0 ~ +200 μm
Bitte beachten Sie, dass diese Angaben auf den angegebenen Werten und Bedingungen basieren