Im schnelllebigen Bereich industrieller Hochleistungsanwendungen erweist sich das Leistungsmodul IXYS MCC162-18io1 als technologisches Kraftpaket. Dieses Modul wurde speziell für robuste Leistung entwickelt und besteht aus zwei IGBT-Modulen, die in einer Halbbrückenkonfiguration angeordnet sind und jeweils eine beeindruckende Nennspannung von 900 V und 162 A aufweisen. Integrierte Intelligenz und Schutz: Im Kern kapselt das Modul MCC162-18io1 eine […]
Fuji 1MBI300N-120 IGBT-Modul: Merkmale: Anwendungen: Maximale Nennwerte und Eigenschaften:
8. Januar 2024 – Berichten zufolge werden Nvidia und AMD den Markt für künstliche Intelligenz (KI) im Jahr 2024 weiter ausbauen, und es wird erwartet, dass die beiden Unternehmen etwa 1.5 Millionen fortschrittliche KI-Chips bei TSMC bestellen werden. In dem Bericht wurde darauf hingewiesen, dass Nvidia neue Produkte wie B100 und […] herausbringen wird.
Produktinformationen: Merkmale: Lagerungs- und Transportrichtlinien:
Das Fuji 6MBP150NA060 ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) mit spezifischen maximalen Nennwerten und Eigenschaften. Hier sind die wichtigsten Spezifikationen: Absolute maximale Nennwerte (Tc=25°C, sofern nicht anders angegeben):
Das Fuji 6MBP300KA060-01 ist ein Hochleistungs-IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor), das für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Hier sind die Spezifikationen und Eigenschaften dieses Moduls: Maximale Nennwerte und Eigenschaften (Tc=25 °C, sofern nicht anders angegeben): Dieses Modul ist in der Lage, extrem hohe Strom- und Spannungspegel zu verarbeiten, wodurch es für Anwendungen wie industrielle Motorantriebe geeignet ist, [ …]
Das Fuji 2MBI300VB-060-50 ist ein robustes IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor), das speziell für Hochleistungsschaltanwendungen entwickelt wurde. Hier sind die detaillierten Spezifikationen dieses Moduls: Funktionen:
Das Fuji 6MBP150RA060-02 ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) mit spezifischen Funktionen und maximalen Nennwerten. Hier ist eine Aufschlüsselung der wichtigsten Spezifikationen: Merkmale: Maximale Nennwerte (Tc=25 °C, sofern nicht anders angegeben): Dieses IGBT-Modul eignet sich für Hochleistungsanwendungen, bei denen effizientes Schalten und Temperaturmanagement unerlässlich sind.
das Infineon FS150R06KL4_B4 IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor). Hier finden Sie eine Aufschlüsselung der wichtigsten Spezifikationen: Diese Spezifikationen sind für die Entwicklung und Verwendung des IGBT-Moduls in verschiedenen Anwendungen von wesentlicher Bedeutung und stellen sicher, dass es innerhalb seiner sicheren und spezifizierten Grenzen arbeitet.