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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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BSM50GB120DN2
Fabricante: Infineon
Categoria de nuestros producto: IGBT Módulos
RoHS: Si
Marca: Infineon Technologies
Producto: Módulos de silicio IGBT
Configuración: Medio puente
Colector- Emisor voltaje VCEO máx.: 1200 V
Saturación colector-emisor voltaje: 2.5 V
Corriente continua del colector a 25 C: 78 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 200 na
Pd - Disipación de energía: 400 W
Paquete / Estuche: Medio Puente1
Temperatura máxima de funcionamiento: + 150C
Embalaje: Pedidos masivos
Emisor de puerta máximo voltaje: 20 V
Temperatura de funcionamiento mínima: - 40 C
Estilo de montaje: Tornillo
Cantidad de paquete de fábrica: 10
50A / 1200V / IGBT / 2U; Módulos IGBT 1200V 50A DUAL
Shunlongwei inspeccionó cada BSM50GB120DN2 antes del envío, todos los BSM50GB120DN2 con 6 meses de garantía.