El Fuji EVL31-060 es un módulo IGBT diseñado para aplicaciones electrónicas de alta potencia. Ofrece un voltaje de saturación bajo, un paquete compacto y se puede montar fácilmente en una placa de circuito impreso. Estas son las características y especificaciones del módulo IGBT EVL31-060: Características: Aplicaciones: Clasificaciones y características máximas (Tc = 25 °C a menos que se especifique lo contrario): El […]
El Fuji 7MBR50NF060 es un módulo IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) de alto rendimiento diseñado para satisfacer las demandas de las aplicaciones de energía. Con sus características avanzadas y su construcción robusta, este módulo proporciona un rendimiento eficiente y confiable en diversas aplicaciones industriales y comerciales. En esta descripción general, exploraremos las características clave, las aplicaciones y las calificaciones máximas de […]
Módulo IGBT de tipo aislado Mitsubishi #TM25DZ-H El Mitsubishi #TM25DZ-H es un módulo IGBT de tipo aislado conocido por su alto rendimiento y confiabilidad. Está diseñado para manejar diversas aplicaciones que requieren control y conmutación de energía eficientes. Características clave: Clasificaciones y características máximas: el módulo funciona bajo las siguientes clasificaciones máximas absolutas a una temperatura de […]
El Infineon DDB6U104N16RR es un módulo de transistores de potencia. Estas son las clasificaciones y características máximas de este módulo: Clasificaciones máximas absolutas (Tc = 25 °C a menos que se especifique lo contrario): Marca del producto: Infineon Voltaje colector-emisor: VCES = 1600 V (TVj = 25 °C) Corriente continua del colector CC: 50 ACorriente máxima repetitiva del colector: ICRM = 100 ADisipación de potencia total: Ptot = 350 WVoltaje pico del emisor de puerta: VGES = […]
Agile Analog, la empresa de IP analógica personalizable, está lanzando el primer subsistema IP analógico completo para aplicaciones RISC-V. Este subsistema IP analógico independiente del proceso, personalizable y envuelto digitalmente ayudará a resolver muchos de los problemas que enfrentan actualmente los diseñadores de SoC, ya que se combina con un núcleo RISC-V para formar una solución completa. “La arquitectura RISC-V […]
El MG50Q6ES41 es un módulo de transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de alta potencia fabricado por Toshiba. Está diseñado para su uso en control de motores, fuentes de alimentación e inversores. Estas son las especificaciones clave del MG50Q6ES41: Producto: MG50Q6ES41 Tipo: Módulo IGBT de alta potencia Clasificación de voltaje: 600 V Clasificación de corriente: 50 A Voltaje máximo de colector-emisor: 1.8 V Configuración: Paquete de 6 El MG50Q6ES41 ofrece alta confiabilidad y rendimiento con un bajo […]
Ventas Email: Sales@shunlongwei.com El SKKT 57/16 E es un módulo de tiristor/diodo de 7 pines fabricado por Semikron. Está alojado en un paquete SEMIPACK 1 y está diseñado para diversas aplicaciones, como accionamiento y control de motores, sistemas de microondas e iluminación. Estas son las especificaciones del módulo SKKT 57/16 E: Estos módulos están diseñados para proporcionar […]
Ventas Email: sales@shunlongwei.com El Mitsubishi PM50CTJ060-3 es un nuevo módulo IGBT. IGBT significa Transistor bipolar de puerta aislada, que es un dispositivo semiconductor de alta potencia que se utiliza para conmutar y amplificar señales eléctricas. El PM50CTJ060-3 está diseñado y fabricado específicamente por Mitsubishi Electric, una conocida empresa en el campo de la electrónica de potencia. Estas son algunas de las características clave […]
Ventas Email: sales@shunlongwei.com Fabricante: Infineon Categoría de producto: Módulos IGBT RoHS: Sí Producto: Módulos de silicio IGBT Clasificaciones y características máximas: Clasificaciones máximas absolutas (Tc=25°C a menos que se especifique lo contrario) Voltaje colector-emisor: 1200 V (a Tvj = 25°C, VCES ) Corriente continua del colector de CC: 50 A (TC = 100 °C, Tvj máx = 175 °C, IC nom) Corriente máxima repetitiva del colector: 100 […]