Llamado XT011, "refleja la necesidad de una mayor integración digital y capacidades de procesamiento dentro de las aplicaciones analógicas", dijo X-Fab, afirmando: "Reúne los atractivos atributos asociados con SoI y DTI [aislamiento de trinchera profunda], de modo que La lógica digital de densidad y la funcionalidad analógica se pueden incorporar más fácilmente en un solo chip en comparación con el BCD a granel tradicional. El rendimiento térmico se ha mejorado significativamente: las aplicaciones de alta corriente se pueden abordar mejor, coincidiendo con lo que normalmente se esperaría de un proceso BCD a granel”.
La densidad de la biblioteca de celdas estándar se duplica en comparación con su proceso BCD-on-SoI XT180 de 018 nm existente, y ocupa un 35 % menos de área para la memoria flash integrada de Sonos. La resistencia de encendido del dispositivo de canal N puede ser un 25 % mejor.
Como es un proceso de silicio sobre aislante, se pueden eliminar los efectos bipolares parásitos y el riesgo de enganche.
Se pueden fabricar dispositivos que funcionen entre -40 y 175 °C y, para uso automotriz, la empresa puede manejar diseños compatibles con AEC-Q100 Grado 0: X-Fab apunta principalmente a circuitos integrados automotrices que incluyen procesamiento de datos, y también a aplicaciones industriales. y circuitos integrados médicos.
El PDK (kit de diseño de procesos) tiene IP (propiedad intelectual) que incluye sram, flash basado en rom sonos y eeprom integrado.
La producción se realizará en las instalaciones de X-Fab en Corbeil-Essonnes, cerca de París, con una producción en volumen en la segunda mitad de este año.
La empresa tiene seis fábricas, repartidas por Alemania, Francia, Malasia y EE. UU., con 4,200 empleados en todo el mundo. Cuenta con procesos CMOS, SoI, SiC, GaN-on-Si, mems y microfluídicos, en geometrías desde 1µm hasta 110nm.
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