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Courriel: sales@shunlongwei.com
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BSM50GB120DN2
Fabricant: Infineon
Catégorie de produits: IGBT Modules
RoHS: OUI
Marque: Infineon Technologies
Produit: Modules silicium IGBT
Configuration: Demi-pont
Collecteur-émetteur Tension VPEO Max : 1200 V
Saturation collecteur-émetteur Tension: 2.5 V
Courant de collecteur continu à 25 C: A 78
Courant de fuite porte-émetteur: 200 na
Pd - Dissipation de puissance: 400 W
Paquet / Cas: Demi-pont1
Température de fonctionnement maximale: + 150°C
Paquet: Gros Volume
Émetteur de porte maximum Tension: 20 V
Température minimale de fonctionnement: - 40 C
Style de montage: Vis
Quantité de paquet d'usine: 10
50A / 1200V / IGBT / 2U; modules IGBT 1200V 50A DUAL
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