Stok Tersedia ROHM RQ3E150BN

#RQ3E150BN ROHM RQ3E150BN Efek Medan Daya Baru Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0074ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semikonduktor FET, HALOGEN FREE DAN ROHS COMPLIANT, HSMT8, 8 PIN, gambar RQ3E150BN, harga RQ3E150BN, pemasok #RQ3E150BN
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/rq3e150bn.html

-----------------------

Nomor Bagian Produsen: RQ3E150BNTB
Kode Rohs: Ya
Bagian Kode Siklus Hidup: Aktif
Produsen IHS: ROHM CO LTD
Deskripsi Paket: GARIS KECIL, R-PDSO-F5
Kode ECCN: EAR99
Produsen: ROHM Semikonduktor
Peringkat Risiko: 1.65
Koneksi Kasus: DRAIN
Konfigurasi: TUNGGAL DENGAN DIODE BUILT-IN
Kerusakan DS tegangan-Minimal: 30 V.
Tiriskan Arus-Maksimum (ID): 15 A
Drain-source On Resistance-Max: 0.0074
FET Teknologi: SEMIKONDUKTOR LOGAM-OKSIDA
Kode JESD-30: R-PDSO-F5
Tingkat Sensitivitas Kelembaban: 1
Jumlah Elemen: 1
Jumlah Terminal: 5
Mode Operasi: MODE PENINGKATAN
Paket Bahan Tubuh: PLASTIK / KOSONG
Bentuk Paket: REKTANGULER
Gaya Paket: GARIS BESAR KECIL
Peak Reflow Temperature (Cel): TIDAK DITENTUKAN
Polaritas / Jenis Saluran: N-CHANNEL
Arus Tiriskan Berdenyut-Maks (IDM): 60 A
Pemasangan Permukaan: YA
Bentuk Terminal: FLAT
Posisi Terminal: DUAL
Waktu
Transistor Efek Medan Daya, 15A I(D), 30V, 0.0074ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE DAN ROHS COMPLIANT, HSMT8, 8 PIN