Modul IGBT Semikron SKKD 46/12 – Panduan Lengkap Jelajahi fitur dan spesifikasi modul IGBT Semikron SKKD 46/12, dioda berkinerja tinggi dengan struktur semikonduktor dalam seri ganda. Diproduksi oleh Semikron, modul ini dirancang untuk berbagai aplikasi, memastikan keandalan dan efisiensi. Spesifikasi Utama: Informasi Tambahan: Dioda Semikron ini, dengan …
Modul IGBT Fuji 1MBI300N-120: Fitur: Aplikasi: Peringkat dan Karakteristik Maksimum:
FS450R12KE3 adalah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) yang dirancang untuk aplikasi daya tinggi. Berikut spesifikasi utamanya: Modul IGBT ini dirancang untuk menangani tegangan tinggi (hingga 1200 V) dan arus tinggi (hingga 600 A). Konfigurasi Hex menunjukkan bahwa ia terdiri dari beberapa IGBT dalam susunan heksagonal. Paket EconoPACK+ […]
Informasi Produk: Fitur: Pedoman Penyimpanan dan Transportasi:
Fuji 6MBP300KA060-01 adalah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) berdaya tinggi yang dirancang untuk aplikasi tugas berat. Berikut adalah spesifikasi dan karakteristik modul ini: Peringkat dan Karakteristik Maksimum (Tc=25°C kecuali ditentukan lain): Modul ini mampu menangani tingkat arus dan tegangan yang sangat tinggi, sehingga cocok untuk aplikasi seperti penggerak motor industri, [ …]
Semikron SKKD380/18 merupakan modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) yang diproduksi oleh Semikron. Berikut beberapa informasi tentang modul ini:
FUJI 2MBI600VN-120-50 adalah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) yang dirancang untuk aplikasi daya tinggi yang memerlukan peralihan kecepatan tinggi dan penggerak tegangan. Berikut spesifikasi dan fitur modul IGBT ini: Fitur: Aplikasi: Modul IGBT FUJI 2MBI600VN-120-50 dapat digunakan dalam berbagai aplikasi, antara lain: Rating dan Karakteristik Maksimum (pada Tc=25°C kecuali ditentukan lain):
Modul IGBT Fuji 2MBI200U4H-120. Modul ini digunakan dalam aplikasi elektronika daya untuk mengalihkan arus dan tegangan tinggi. Berikut spesifikasi utamanya: Peringkat Maksimum Absolut: Informasi Tambahan:
Fuji 2MBI600VE-120 merupakan modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) dengan fitur dan kemampuan khusus yang dirancang untuk berbagai aplikasi elektronika daya. Fitur Utama: Aplikasi: Peringkat dan Karakteristik Maksimum (Tc=25°C kecuali ditentukan): Modul IGBT Fuji 2MBI600VE-120 dirancang untuk menangani aplikasi berdaya tinggi seperti penggerak motor, amplifier, catu daya, dan mesin industri. Kecepatannya yang tinggi […]