Esplora le caratteristiche avanzate e le specifiche del modulo IGBT SANREX DF150AA160 in questa scheda tecnica completa. Ideale per varie applicazioni come azionamenti di motori CA e CC, AVR e commutazione trifase, questo modulo offre elevata affidabilità e prestazioni efficienti. Con una temperatura di giunzione massima di 150°C e una passivazione del vetro unica, fornisce una soluzione robusta […]
Modulo IGBT Semikron SKKT 106B16 E: specifiche, caratteristiche e applicazioni Esplora il potente modulo IGBT Semikron SKKT 106B16 E, un dispositivo a semiconduttore all'avanguardia progettato per varie applicazioni. Ecco le specifiche principali: Progettato pensando alla precisione e all'affidabilità, Semikron SKKT 106B16 E offre prestazioni superiori in un modulo compatto, rendendolo adatto […]
Caratteristiche del modulo di potenza Fuji #7MBP75RE120 Valori nominali massimi assoluti: Tensione collettore-emettitore (Vces): 1200 V Tensione gate-emettitore (VGES): ±20 V Corrente collettore (Ic): 75 A Picco corrente collettore (Icp): 150 A Dissipazione di potenza collettore (Pc) : 500 W Tensione collettore-emettitore (VCES): 2500 V Temperatura di giunzione operativa (Tj): +150°C Temperatura di stoccaggio (Tstg): da -40 a +125°C Caratteristiche meccaniche: Montaggio Coppia di viti M5: 2.5~3.5*6 N· m Peso (tipico): […]
Specifiche del modulo IGBT Mitsubishi QM150DY-H Scopri le caratteristiche all'avanguardia del modulo IGBT Mitsubishi QM150DY-H, una potente soluzione per varie applicazioni industriali. Caratteristiche principali: Dettagli sulle prestazioni: Applicazioni: Design versatile: Prestazioni affidabili:
Questa semplice fonte di energia azionata meccanicamente ha quasi 200 anni e ha ancora un ruolo ben definito, sebbene limitato, nei sistemi odierni. Cosa o chi è un magnete? No, un “magneto” non è solo il potente mutante che ha la capacità di generare e controllare campi magnetici e che è apparso per la prima volta nel numero di debutto di […]
Caratteristiche del prodotto del modulo IGBT MACMIC MMG75S170B: Applicazioni: Valori nominali e caratteristiche massime: (Valori massimi assoluti, Tc=25°C se non diversamente specificato)
Il Fuji 6MBP150NA060 è un modulo IGBT (transistor bipolare a gate isolato) con caratteristiche e valori nominali massimi specifici. Ecco le specifiche principali: Valori nominali massimi assoluti (Tc=25°C se non diversamente specificato):
Il Mitsubishi QM150DY-2HBK è un modulo IGBT (transistor bipolare a gate isolato) progettato per applicazioni di commutazione ad alta potenza. Ecco alcune delle sue specifiche e informazioni chiave: Applicazioni: il modulo è adatto per una vasta gamma di applicazioni, tra cui:
Il Fuji 6MBP150RA060-02 è un modulo IGBT (transistor bipolare a gate isolato) con caratteristiche specifiche e prestazioni massime. Ecco un elenco delle sue specifiche principali: Caratteristiche: Valori nominali massimi (Tc=25°C se non diversamente specificato): questo modulo IGBT è adatto per applicazioni ad alta potenza in cui sono essenziali una commutazione efficiente e una gestione della temperatura.