Entrambi sono costituiti da un modulo di potenza saldato alla scheda driver. "Le schede driver gate complementari sono progettate per essere integrate con moduli [di potenza] per fornire una soluzione di azionamento del motore all-in-one per l'elettrificazione di sistemi come controlli di volo, frenatura e atterraggio attrezzature per droni e aerei completamente elettrici", secondo la società. CD-MSCSM70XM19CTYZBNMG è classificato […]
15 aprile 2024 — Renesas Electronics Corporation ha recentemente annunciato di aver avviato le operazioni presso la sua fabbrica di Kofu, situata nella città di Kai, nella prefettura di Yamanashi, in Giappone. Renesas mira ad aumentare la propria capacità produttiva di semiconduttori di potenza in previsione della crescente domanda di veicoli elettrici (EV). Per celebrare questo traguardo, Renesas ha tenuto una cerimonia di apertura l'11 aprile con funzionari del governo locale e partner […]
8 aprile 2024 — TDK Corporation ha recentemente annunciato il lancio di due nuove serie EPCOS InsuGate (B78541A). Questi trasformatori SMT compatti con elevata tensione di lavoro sono adatti per applicazioni gate driver per IGBT e MOSFET nella mobilità elettrica (qualificazione secondo AEC-Q200 e secondo il profilo di vibrazione AQG) e nell'elettronica industriale. I componenti […]
Sommario Introduzione Figure chiave dell'elettronica di potenza: Nikola Tesla e Thomas Edison L'alba nella storia dell'elettronica di potenza L'era dei raddrizzatori ad arco di mercurio Tubi a vuoto: controllo del flusso di elettricità La rivoluzione dei semiconduttori Sfide tecnologiche e soluzioni nell'elettronica di potenza Miniaturizzazione ed efficienza nell'elettronica di potenza La svolta dei MOSFET L’avvento degli IGBT […]
29 febbraio 2024 — Vishay Intertechnology, Inc. ha recentemente introdotto cinque nuovi moduli di potenza IGBT a mezzo ponte nel pacchetto INT-A-PAK recentemente riprogettato. Basati sulla tecnologia IGBT Trench di Vishay, VS-GT100TS065S, VS-GT150TS065S, VS-GT200TS065S, VS-GT100TS065N e VS-GT200TS065N offrono ai progettisti la scelta tra due tecnologie migliori della categoria: basso VCE(ON) o basso Eoff, per ridurre perdite di conduzione o di commutazione negli stadi inverter ad alta corrente per […]
Nel frenetico regno delle applicazioni industriali ad alta potenza, il modulo di potenza IXYS MCC162-18io1 emerge come una centrale tecnologica. Realizzato appositamente per prestazioni robuste, questo modulo comprende due moduli IGBT disposti in una configurazione a mezzo ponte, ciascuno con una potenza nominale impressionante di 900 V e 162 A. Intelligenza e protezione integrate: al suo interno, il modulo MCC162-18io1 incapsula un […]
Braccio robotico con rendering 3D che assembla celle di batterie a stato solido Sommario: Introduzione all'elettronica di potenza Definizione e concetto di base Sviluppo storico ed evoluzione Componenti chiave dell'elettronica di potenza Considerazioni su efficienza e dimensioni Dissipazione del calore e applicazioni di gestione termica in vari sistemi Conversione della regolazione di tensione e frequenza Tecniche Meccanismi di protezione e sicurezza Tendenze future e innovazioni Conclusione […]
30 gennaio 2024 — Secondo i rapporti, si prevede che molte fabbriche di chip avvieranno la produzione di massa in Giappone nel 2024, il che stimolerà la crescita e lo sviluppo della catena di fornitura nazionale di semiconduttori del Giappone e migliorerà le capacità di produzione di chip del Giappone. Nella città di Kikuyo, nella prefettura di Kumamoto, in Giappone, la Japan Advanced Semiconductor Manufacturing (JASM), investita da TSMC, Sony e […]
Il corretto sequenziamento di più binari di alimentazione in un sistema è una funzione fondamentale e può essere realizzato utilizzando approcci diversi. I progettisti esperti sanno che uno dei periodi più rischiosi nel ciclo operativo di un prodotto è quando viene acceso. Questa fase di accensione è quando ciascuno dei molteplici binari di alimentazione deve emergere […]