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Presentazione del Toshiba MG75Q2YS42, un bipolare a gate isolato a canale N ad alte prestazioni Transistor (IGBT) modulo progettato specificamente per applicazioni di commutazione e controllo motore ad alta potenza.
Con una corrente massima di collettore di 75A e collettore-emettitore voltaggio di 1200 V, l'MG75Q2YS42 offre robuste capacità di gestione dell'alimentazione per applicazioni industriali esigenti.
Una caratteristica degna di nota di questo modulo è l'inclusione di un diodo a recupero rapido ultra morbido (USFD), che aiuta a ridurre il rumore e migliora le prestazioni complessive. Inoltre, il modulo incorpora un dissipatore di calore isolato (dal terminale alla base), garantendo la sicurezza durante il funzionamento.
I VALORI MASSIMI ASSOLUTI per MG75Q2YS42 includono una dissipazione di potenza del collettore di 560 W e un ampio intervallo di temperature di giunzione da -40°C a 150°C, consentendo il funzionamento in ambienti difficili.
Questo modulo offre un isolamento voltaggio di 2500 VRMS (CA 1 minuto) e dispone di terminali con coppia di serraggio a vite di 3/3 Nm, che facilitano connessioni sicure e affidabili.
In sintesi, il Toshiba MG75Q2YS42 è un dispositivo di commutazione e controllo motore ad alta potenza IGBT modulo che combina prestazioni ad alta velocità con bassa tensione di saturazione. Il suo diodo di recupero rapido ultra morbido incorporato riduce il rumore e il dissipatore di calore isolato migliora la sicurezza. Con le sue straordinarie specifiche e il design robusto, è una scelta eccellente per varie applicazioni di controllo motore che richiedono elevata potenza e affidabilità.