Jualan Email: sales@shunlongwei.com
Memperkenalkan Infineon BSM200GB120DN2 IGBT Modul, penyelesaian termaju untuk aplikasi elektronik kuasa. Modul ini adalah sebahagian daripada rangkaian luas Infineon IGBT Modul, terkenal dengan prestasi tinggi dan kebolehpercayaan. Direka bentuk untuk memenuhi piawaian industri, ia menawarkan pelbagai ciri dan faedah.
BSM200GB120DN2 didatangkan dalam konfigurasi Half Bridge, menjadikannya serba boleh dan sesuai untuk pelbagai litar reka bentuk. Dengan Pemungut-Pemancar maksimum voltan (VCEO Max) 1200 V, ia memastikan operasi yang mantap dan cekap. Ketepuan Pengumpul-Pemancar voltan hanya 2.5 V, meminimumkan kehilangan kuasa dan meningkatkan kecekapan sistem.
ini IGBT modul mempunyai Arus Pemungut Berterusan 290 A pada 25°C, membolehkannya mengendalikan keperluan kuasa yang besar. Selain itu, Arus Kebocoran Pemancar Gerbang sangat rendah, hanya berukuran 400 nA. Ciri ini meningkatkan kebolehpercayaan sistem dan menghalang pelesapan kuasa yang tidak perlu.
Bercakap mengenai pelesapan kuasa, BSM200GB120DN2 menawarkan Pelesapan Kuasa (Pd) sebanyak 1.4 kW, membolehkan ia mengendalikan aplikasi berkuasa tinggi dengan mudah. Pakej/Kesnya yang teguh, dikenali sebagai Half Bridge2, memastikan pengurusan terma yang boleh dipercayai dan kestabilan mekanikal.
Suhu operasi yang melampau bukanlah satu cabaran untuk ini IGBT modul. Fleksibiliti ini menjadikannya sesuai untuk keadaan operasi yang pelbagai.
Pemasangan dipermudahkan terima kasih kepada Gaya Pemasangan Skru, menyediakan penyepaduan yang selamat dan mudah ke dalam sistem anda. Setiap pek mengandungi 10 unit, memastikan bekalan yang mencukupi untuk keperluan projek anda.
Secara ringkasnya, Infineon BSM200GB120DN2 IGBT Modul ialah penyelesaian berprestasi tinggi, boleh dipercayai dan mematuhi RoHS. Dengan spesifikasinya yang luar biasa, ia memenuhi permintaan pelbagai aplikasi elektronik kuasa, memastikan prestasi yang cekap dan dioptimumkan. Percaya kepada kepakaran jenama Infineon Technologies untuk mempertingkatkan sistem anda dengan Modul Silikon IGBT teratas mereka.