Dalam bidang aplikasi industri berkuasa tinggi yang pantas, modul kuasa IXYS MCC162-18io1 muncul sebagai pusat kuasa teknologi. Dicipta khusus untuk prestasi yang mantap, modul ini terdiri daripada dua modul IGBT yang disusun dalam konfigurasi separuh jambatan, masing-masing mempunyai penarafan mengagumkan 900V dan 162A. Perisikan dan Perlindungan Bersepadu: Pada terasnya, modul MCC162-18io1 merangkum […]
Modul Fuji 1MBI300N-120 IGBT: Ciri: Aplikasi: Penilaian dan Ciri Maksimum:
8 Januari 2024 — Menurut laporan, Nvidia dan AMD akan terus mengembangkan pasaran kecerdasan buatan (AI) pada 2024, dan kedua-dua syarikat itu dijangka membuat pesanan untuk kira-kira 1.5 juta cip AI canggih daripada TSMC. Laporan itu menunjukkan bahawa Nvidia akan mengeluarkan produk baharu seperti B100 dan […]
Maklumat Produk: Ciri-ciri: Penyimpanan dan Garis Panduan Pengangkutan:
Fuji 6MBP150NA060 ialah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) dengan penilaian dan ciri maksimum tertentu. Berikut ialah spesifikasi utama: Penarafan Maksimum Mutlak (Tc=25°C melainkan dinyatakan sebaliknya):
Fuji 6MBP300KA060-01 ialah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) berkuasa tinggi yang direka untuk aplikasi tugas berat. Berikut ialah spesifikasi dan ciri modul ini: Penarafan dan Ciri Maksimum (Tc=25°C melainkan dinyatakan sebaliknya): Modul ini mampu mengendalikan tahap arus dan voltan yang sangat tinggi, menjadikannya sesuai untuk aplikasi seperti pemacu motor industri, [ …]
Fuji 2MBI300VB-060-50 ialah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) yang teguh yang direka khusus untuk aplikasi pensuisan kuasa tinggi. Berikut ialah spesifikasi terperinci modul ini: Ciri-ciri:
Fuji 6MBP150RA060-02 ialah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) dengan ciri khusus dan penilaian maksimum. Berikut ialah pecahan spesifikasi utamanya: Ciri-ciri: Penilaian Maksimum (Tc=25°C melainkan dinyatakan sebaliknya): Modul IGBT ini sesuai untuk aplikasi berkuasa tinggi di mana pensuisan dan pengurusan suhu yang cekap adalah penting.
modul Infineon FS150R06KL4_B4 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Berikut ialah pecahan spesifikasi utama: Spesifikasi ini penting untuk mereka bentuk dan menggunakan modul IGBT dalam pelbagai aplikasi, memastikan ia beroperasi dalam had yang selamat dan ditetapkan.