Jadual Kandungan Pengenalan Tokoh Utama dalam Elektronik Kuasa: Nikola Tesla dan Thomas Edison The Dawn in the History of Power Electronics Tiub Vakum Era Penerus Arka Mercury: Mengawal Aliran Elektrik Revolusi Semikonduktor Cabaran dan Penyelesaian Teknologi dalam Elektronik Kuasa Pengecilan dan Kecekapan dalam Elektronik Kuasa Terobosan MOSFET Kedatangan IGBT […]
29 Februari 2024 — Vishay Intertechnology, Inc. baru-baru ini memperkenalkan lima modul kuasa IGBT separuh jambatan baharu dalam pakej INT-A-PAK yang baru direka bentuk semula. Dibina pada teknologi Vishay's Trench IGBT, VS-GT100TS065S, VS-GT150TS065S, VS-GT200TS065S, VS-GT100TS065N dan VS-GT200TS065N menawarkan pereka bentuk pilihan dua teknologi rendah atau rendah VCE yang terbaik dalam kelasnya. kehilangan pengaliran atau pensuisan dalam peringkat penyongsang arus tinggi untuk […]
Dalam bidang aplikasi industri berkuasa tinggi yang pantas, modul kuasa IXYS MCC162-18io1 muncul sebagai pusat kuasa teknologi. Dicipta khusus untuk prestasi yang mantap, modul ini terdiri daripada dua modul IGBT yang disusun dalam konfigurasi separuh jambatan, masing-masing mempunyai penarafan mengagumkan 900V dan 162A. Perisikan dan Perlindungan Bersepadu: Pada terasnya, modul MCC162-18io1 merangkum […]
Lengan robotik yang dihasilkan 3D memasang sel bateri keadaan pepejal Jadual Kandungan: Pengenalan kepada Definisi Elektronik Kuasa dan Konsep Asas Pembangunan Sejarah dan Evolusi Komponen Utama Pertimbangan Kecekapan dan Saiz Elektronik Kuasa Pelesapan Haba dan Aplikasi Pengurusan Terma dalam Pelbagai Sistem Penukaran Voltan dan Kekerapan Teknik Perlindungan dan Mekanisme Keselamatan Trend dan Inovasi Masa Depan Kesimpulan […]
30 Januari 2024 — Menurut laporan, banyak fabrik cip dijangka memulakan pengeluaran besar-besaran di Jepun pada 2024, yang akan merangsang pertumbuhan dan pembangunan rantaian bekalan semikonduktor domestik Jepun dan meningkatkan keupayaan pembuatan cip Jepun. Di Kikuyo Town, Kumamoto Prefecture, Jepun, Japan Advanced Semiconductor Manufacturing (JASM), yang dilaburkan oleh TSMC, Sony dan […]
Penjujukan yang betul bagi rel kuasa berbilang dalam sistem adalah fungsi kritikal dan boleh dicapai menggunakan pendekatan yang berbeza. Pereka yang berpengalaman tahu bahawa salah satu tempoh paling berisiko dalam kitaran operasi produk ialah apabila kuasa dihidupkan. Fasa peningkatan kuasa ini ialah apabila setiap rel kuasa berbilang mesti muncul […]
Spesifikasi Elektrik: Ciri-ciri Fizikal: Butiran Tambahan: Penerangan: Terokai keupayaan prestasi tinggi Infineon FZ400R12KE3, modul Transistor Bipolar (IGBT) Bertebat Gate N-Channel aktif dengan arus pengumpul 650 A dan voltan pemancar pengumpul 1200 V. Modul ini direka bentuk dengan diod terbina dalam untuk kefungsian yang dipertingkatkan. Pelekap bebibir, pakej segi empat tepat dengan […]
Modul Semikron SKKD 46/12 IGBT – Panduan Komprehensif Terokai ciri dan spesifikasi modul Semikron SKKD 46/12 IGBT, diod berprestasi tinggi dengan struktur semikonduktor dalam siri berganda. Dikilangkan oleh Semikron, modul ini direka untuk pelbagai aplikasi, memastikan kebolehpercayaan dan kecekapan. Spesifikasi Utama: Maklumat Tambahan: Diod Semikron ini, dengan […]
Modul Fuji 1MBI300N-120 IGBT: Ciri: Aplikasi: Penilaian dan Ciri Maksimum: