In het snel veranderende domein van krachtige industriële toepassingen ontpopt de IXYS MCC162-18io1 voedingsmodule zich als een technologische krachtpatser. Deze module is speciaal ontworpen voor robuuste prestaties en bestaat uit twee IGBT-modules die zijn gerangschikt in een halve brugconfiguratie, elk met een indrukwekkend vermogen van 900 V en 162 A. Geïntegreerde intelligentie en bescherming: in de kern omvat de MCC162-18io1-module een […]
Fuji 1MBI300N-120 IGBT-module: Kenmerken: Toepassingen: Maximale waarden en kenmerken:
8 januari 2024 — Volgens rapporten zullen Nvidia en AMD de markt voor kunstmatige intelligentie (AI) in 2024 blijven uitbreiden, en de verwachting is dat de twee bedrijven bestellingen zullen plaatsen voor ongeveer 1.5 miljoen geavanceerde AI-chips van TSMC. Het rapport wees erop dat Nvidia nieuwe producten zoals B100 en […]
Productinformatie: Kenmerken: Richtlijnen voor opslag en transport:
De Fuji 6MBP150NA060 is een IGBT-module (Insulated Gate Bipolar Transistor) met specifieke maximale waarden en kenmerken. Dit zijn de belangrijkste specificaties: Absolute maximale waarden (Tc=25°C tenzij anders aangegeven):
De Fuji 6MBP300KA060-01 is een krachtige IGBT-module (Insulated Gate Bipolar Transistor) ontworpen voor zware toepassingen. Hier zijn de specificaties en kenmerken van deze module: Maximale waarden en kenmerken (Tc=25°C tenzij anders gespecificeerd): Deze module is in staat om extreem hoge stroom- en spanningsniveaus aan te kunnen, waardoor hij geschikt is voor toepassingen zoals industriële motoraandrijvingen, [ …]
De Fuji 2MBI300VB-060-50 is een robuuste IGBT-module (Insulated Gate Bipolar Transistor) die speciaal is ontworpen voor schakeltoepassingen met hoog vermogen. Hier zijn de gedetailleerde specificaties van deze module: Kenmerken:
De Fuji 6MBP150RA060-02 is een IGBT-module (Insulated Gate Bipolar Transistor) met specifieke kenmerken en maximale classificaties. Hier volgt een overzicht van de belangrijkste specificaties: Kenmerken: Maximale waarden (Tc=25°C tenzij anders aangegeven): Deze IGBT-module is geschikt voor toepassingen met hoog vermogen waarbij efficiënt schakelen en temperatuurbeheer essentieel zijn.
de Infineon FS150R06KL4_B4 IGBT-module (Insulated Gate Bipolar Transistor). Hier volgt een overzicht van de belangrijkste specificaties: Deze specificaties zijn essentieel voor het ontwerpen en gebruiken van de IGBT-module in verschillende toepassingen, en zorgen ervoor dat deze binnen de veilige en gespecificeerde limieten werkt.