Semikron SKiM304GD12T4D IGBT-module: geavanceerde vermogensprestaties De Semikron SKiM304GD12T4D IGBT-module beschikt over geavanceerde functies die zijn afgestemd op geavanceerde vermogenstoepassingen. Door gebruik te maken van de Trenchgate-technologie biedt deze module uitzonderlijke prestaties in verschillende scenario's. De Vce(sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt zorgt voor een stabiele werking bij temperatuurschommelingen, terwijl het opmerkelijke kortsluitvermogen bijdraagt aan de veelzijdigheid. Kenmerken Typische toepassingen […]
De Toshiba MG200H1AL2 is een robuuste IGBT-module (Insulated Gate Bipolar Transistor) die is ontworpen voor schakeltoepassingen met hoog vermogen. Hier is een beknopt overzicht van de belangrijkste kenmerken en specificaties: Beschrijving: De MG200H1AL2 is een transistormodule met een stroomsterkte van 200 Ampère en een nominale spanning van 450 Volt. Hij weegt 210 gram (ongeveer 0.46 lbs), […]
De Starpower GD200HFL120C2S IGBT-module is een krachtig halfgeleiderapparaat dat is ontworpen voor efficiënte stroomschakeling en -controle. Hier zijn de belangrijkste details en kenmerken van de GD200HFL120C2S IGBT-module: Algemene beschrijving: De STARPOWER IGBT-voedingsmodule is ontworpen om ultralage geleidingsverliezen en hoge kortsluitvastheid te bieden. Het is op maat gemaakt voor toepassingen zoals […]
De MDS MDS200A1600V is een IGBT-module die bekend staat om zijn eigenschappen en specificaties die hem geschikt maken voor diverse toepassingen. Hier zijn de details: Kenmerken: Maximale waarden en kenmerken: De MDS200A1600V IGBT-module is ontworpen om efficiënte stroomschakel- en besturingsmogelijkheden te bieden. Het wordt gekenmerkt door zijn hoge spannings- en stroomverwerkingsmogelijkheden, waardoor […]
De Infineon DDB6U205N16L is een IGBT-module (Insulated Gate Bipolar Transistor) met de volgende maximale waarden en kenmerken: Houd er rekening mee dat deze waarden de absolute maximale waarden vertegenwoordigen voor de DDB6U205N16L IGBT-module, en ze zijn bedoeld voor goede operationele en veiligheidsoverwegingen in verschillende toepassingen .
De Infineon FF400R07KE4 is een 650 V, 400 A dubbele IGBT-module vervaardigd door Infineon Technologies. Deze module is voorzien van TRENCHSTOP™ IGBT4-technologie samen met een emittergestuurde diode. Het is ontworpen voor toepassingen met hoog vermogen die een hogere blokkeerspanning, een hoog kortsluitvermogen en optimale elektrische prestaties vereisen. De module is gehuisvest in een standaard […]
De Infineon FF400R06KE3 is een IGBT-module (Insulated Gate Bipolar Transistor) ontworpen voor schakeltoepassingen met hoog vermogen. Het wordt geleverd met specifieke maximale classificaties en kenmerken die het geschikt maken voor diverse industriële toepassingen en vermogensregelingstoepassingen. Hier zijn de belangrijkste specificaties en kenmerken van de FF400R06KE3 IGBT-module: Maximale waarden en kenmerken: De FF400R06KE3 IGBT-module […]
de Infineon #FZ400R17KE3 is essentieel voor correct gebruik en om schade of defecten te voorkomen. Laten we elk van de maximale beoordelingen en kenmerken van dit onderdeel doornemen:
De Fuji 2MBI400VG-060 is een IGBT-module (Insulated Gate Bipolar Transistor) die is ontworpen voor toepassingen met hoog vermogen die snelle schakel- en spanningsaansturingsmogelijkheden vereisen. Hieronder vindt u de kenmerken, toepassingen en maximale waarden van deze module: Kenmerken: Toepassingen: Maximale waarden (Tc=25°C tenzij anders gespecificeerd):