Mitsubishi CM150MXUD-24T Novo Módulo IGBT

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O Mitsubishi CM150MXUD-24T é um poder módulo comumente usado em acionamentos de motores de alta potência, fontes de alimentação e equipamentos de soldagem. Ele foi projetado para fornecer alto desempenho e confiabilidade com baixa perda de energia. Aqui estão alguns recursos e especificações principais do módulo CM150MXUD-24T:

Características:

Configuração de diodo duplo para menor perda de comutação e maior eficiência.
Termistor integrado para monitoramento de temperatura e proteção contra superaquecimento.
Terminais de guia banhados a níquel para conectividade aprimorada.
Compatível com a Diretiva RoHS.
Especificações:

Corrente do coletor (IC): 150A
Coletor-emissor Voltagem (VCES): 1200V
Temperatura máxima de junção (Tvj max): 175°C
Configuração: Dual switch (meia ponte)
Aplicações: controle de motor CA, controle de movimento/servo, fonte de alimentação, etc.
Opção: Pré-aplicação de PC-TIM (Material de Interface Térmica de Mudança de Fase)
Classificações máximas:

VCES (coletor-emissor Voltagem, GE em curto-circuito): 1200V
VGES (Tensão do emissor de porta, CE em curto-circuito): ±20V
IC (Corrente do coletor, DC, TC=145°C): 150A
ICRM (Pulso, Repetitivo): 300A
Pt ot (dissipação de energia total, TC=25°C): 1610W
Visol (Tensão de isolamento, Terminais para placa de base, RMS, f=60Hz, CA 1 min): 4000V
Tvj max (temperatura máxima de junção, evento instantâneo (sobrecarga)): 175°C
Tc max (temperatura máxima da caixa): 150°C
Tvj op (temperatura de junção operacional, operação contínua (sob comutação)): -40 ~ +150°C
Tstg (temperatura de armazenamento): -40 ~ +150°C
Características elétricas (Tv j=25°C, salvo indicação em contrário):

ICES (Corrente de corte coletor-emissor, VCE=VCES, GE em curto-circuito): 1.0mA
IGES (Corrente de fuga do emissor de porta, VGE=VGES, CE em curto-circuito): 0.5μA
VG(th) (Tensão limite do emissor de porta, IC=15mA, VCE=10V): 5.4 ~ 6.6V
trr (tempo de recuperação reversa): 400ns
Qrr (carga de recuperação reversa): 15μC
CEon (energia de ativação por pulso): 11.6mJ
CEoff (energia de desligamento por pulso): 15.7mJ
Err (energia de recuperação reversa por pulso): 6.8mJ
RCC'+EE' (resistência do cabo interno, chip dos terminais principais, por chave, TC=25°C): 0.2mΩ
rg (Resistência do portão interno, por chave): 3.0Ω
Características mecânicas:

Torque de montagem (parafuso M5 dos terminais principais): 2.5 ~ 3.5 N·m
Torque de montagem (montagem no parafuso M6 do dissipador de calor): 3.5 ~ 4.5 N·m
Distância de fuga (terminal a terminal): 18.4 mm
Escoamento (Terminal para placa de base): 21.1 mm
Folga (terminal a terminal): 9.6 mm
Folga (Terminal à placa de base): 16.7 mm
Planicidade da placa de base (na linha central): ±0 ~ +200μm
Observe que essas especificações são baseadas nos valores e condições fornecidos