21 de março de 2024 – Segundo relatos, a Odyssey Semiconductor Technologies Inc., uma empresa focada no desenvolvimento de componentes e sistemas de comutação de energia de alta tensão baseados na tecnologia de processamento de nitreto de gálio (GaN), concordou em vender seus ativos por US$ 9.52 milhões e depois dissolver . A Odyssey tem uma instalação de fabricação de wafer semicondutor de 10,000 pés quadrados equipada com uma proporção de classe [...]
Especificações elétricas: Características físicas: Detalhes adicionais: Descrição: Explore as capacidades de alto desempenho do Infineon FZ400R12KE3, um módulo ativo de transistor bipolar de porta isolada de canal N (IGBT) com uma corrente de coletor de 650 A e uma tensão coletor-emissor de 1200 V. Este módulo foi projetado com um diodo integrado para funcionalidade aprimorada. A montagem em flange, embalagem retangular com [...]
Módulo IGBT Fuji 1MBI300N-120: Características: Aplicações: Avaliações e características máximas:
Módulo de potência Fuji # 7MBP75RE120 apresenta classificações máximas absolutas: Tensão do coletor-emissor (Vces): 1200V Tensão do emissor de porta (VGES): ±20V Corrente do coletor (Ic): 75A Pico da corrente do coletor (Icp): 150A Dissipação de energia do coletor (Pc) : 500W Tensão Coletor-Emissor (VCES): 2500V Temperatura de Junção de Operação (Tj): +150°C Temperatura de Armazenamento (Tstg): -40 a +125°C Características Mecânicas: Torque do Parafuso M5 de Montagem: 2.5~3.5*6 N· m Peso (Típico): […]
O módulo FUJI IGBT 1MBI600V-120 é um módulo de transistor bipolar de porta isolada (IGBT) de alto desempenho, projetado e fabricado pela FUJI Electric. Este módulo (1MBI600V-120) possui uma tensão nominal de 600 V e uma corrente máxima de coletor de 120 A, tornando-o adequado para uma ampla gama de aplicações de alta potência, incluindo controle de motores, fontes de alimentação e sistemas de energia renovável. O […]
25 de dezembro de 2023 – A STMicroelectronics anunciou recentemente que assinou um acordo de fornecimento de carboneto de silício (SiC) de longo prazo com a Li Auto, líder no mercado de veículos de nova energia da China que projeta, desenvolve, fabrica e vende veículos elétricos premium inteligentes. Sob este acordo, a STMicroelectronics (“ST”) fornecerá à Li Auto dispositivos SiC MOSFET para suportar Li […]
Introdução: O Módulo IGBT Semikron SK35GAL12T4 se destaca por seu design compacto, permitindo instalação conveniente com apenas um parafuso. A integração da cerâmica de óxido de alumínio com ligação direta de cobre garante transferência de calor e isolamento eficazes, melhorando o desempenho geral. Este módulo está equipado com a mais recente tecnologia Trench4 IGBT e tecnologia de diodo Cal4F, diferenciando-o em [...]
o Módulo IGBT Fuji 2MBI200VB-120, uma solução poderosa que apresenta: Ideal para diversas aplicações, incluindo: 2MBI200VB-120. Módulos IGBT. MÓDULO IGBT (série V). 1200V / 200A / 2 em um pacote
O Mitsubishi PM15RSH120 é um Módulo de Potência Inteligente (IPM) projetado para aplicações de alto desempenho, aproveitando a tecnologia IGBT avançada para uma operação confiável e resistente a danos. Este módulo de alta qualidade possui um design robusto e está equipado com um drive de porta lógica integrado, otimizando a funcionalidade do módulo transistor. Os principais recursos do PM15RSH120 incluem um circuito de alimentação abrangente [...]