โมดูล IGBT ของ Semikron SKiM304GD12T4D: ประสิทธิภาพพลังงานขั้นสูง โมดูล IGBT ของ Semikron SKiM304GD12T4D นำเสนอคุณสมบัติล้ำสมัยที่ปรับแต่งมาสำหรับการใช้งานด้านพลังงานขั้นสูง โมดูลนี้ใช้ประโยชน์จากเทคโนโลยี Trenchgate ให้ประสิทธิภาพที่โดดเด่นในสถานการณ์ต่างๆ Vce(sat) ที่มีค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิเป็นบวกช่วยให้มั่นใจได้ถึงการทำงานที่เสถียรเหนือความผันผวนของอุณหภูมิ ในขณะที่ความสามารถในการลัดวงจรที่โดดเด่นช่วยเพิ่มความคล่องตัว คุณสมบัติการใช้งานทั่วไป […]
Toshiba MG200H1AL2 เป็นโมดูล IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ที่แข็งแกร่ง ซึ่งออกแบบมาเพื่อการใช้งานสวิตชิ่งกำลังสูง ต่อไปนี้เป็นภาพรวมโดยย่อของคุณสมบัติหลักและข้อมูลจำเพาะ: คำอธิบาย: MG200H1AL2 เป็นโมดูลทรานซิสเตอร์ที่มีพิกัดกระแสไฟ 200 แอมป์ และพิกัดแรงดันไฟฟ้า 450 โวลต์ มันมีน้ำหนัก 210 กรัม (ประมาณ 0.46 ปอนด์) […]
โมดูล IGBT ของ Starpower GD200HFL120C2S เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์กำลังประสิทธิภาพสูง ซึ่งออกแบบมาเพื่อการสลับและควบคุมพลังงานอย่างมีประสิทธิภาพ ต่อไปนี้เป็นรายละเอียดและคุณสมบัติที่สำคัญของโมดูล GD200HFL120C2S IGBT: คำอธิบายทั่วไป: โมดูลพลังงาน STARPOWER IGBT ได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมเพื่อให้การสูญเสียการนำไฟฟ้าต่ำเป็นพิเศษและความทนทานต่อการลัดวงจรสูง มันถูกปรับให้เหมาะกับการใช้งานเช่น […]
MDS MDS200A1600V เป็นโมดูล IGBT ที่เป็นที่รู้จักในด้านคุณสมบัติและข้อมูลจำเพาะที่ทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานที่หลากหลาย โดยมีรายละเอียดดังนี้: คุณสมบัติ: อัตราสูงสุดและคุณลักษณะเฉพาะ: โมดูล IGBT MDS200A1600V ได้รับการออกแบบมาเพื่อให้ความสามารถในการสลับและควบคุมพลังงานมีประสิทธิภาพ โดดเด่นด้วยความสามารถในการจัดการไฟฟ้าแรงสูงและกระแสไฟฟ้าทำให้ […]
Infineon DDB6U205N16L คือโมดูล IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ที่มีพิกัดและคุณลักษณะสูงสุดดังต่อไปนี้: โปรดทราบว่าค่าเหล่านี้แสดงถึงพิกัดสูงสุดสัมบูรณ์สำหรับโมดูล IGBT DDB6U205N16L และมีไว้เพื่อการพิจารณาด้านการปฏิบัติงานและความปลอดภัยที่เหมาะสมในการใช้งานต่างๆ .
Infineon FF400R07KE4 เป็นโมดูล IGBT คู่ 650 V, 400 A ที่ผลิตโดย Infineon Technologies โมดูลนี้มีเทคโนโลยี TRENCHSTOP™ IGBT4 พร้อมด้วยไดโอดควบคุมตัวปล่อย ได้รับการออกแบบมาเพื่อการใช้งานที่มีกำลังสูงที่ต้องการความสามารถด้านแรงดันไฟฟ้าในการบล็อกที่เพิ่มขึ้น ความสามารถในการลัดวงจรสูง และประสิทธิภาพทางไฟฟ้าที่เหมาะสมที่สุด โมดูลนี้อยู่ในมาตรฐาน […]
Infineon FF400R06KE3 คือโมดูล IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ที่ออกแบบมาสำหรับการใช้งานสวิตช์กำลังสูง มาพร้อมกับพิกัดสูงสุดและคุณลักษณะเฉพาะที่ทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานทางอุตสาหกรรมและการควบคุมพลังงานต่างๆ นี่คือข้อกำหนดและคุณสมบัติที่สำคัญของโมดูล FF400R06KE3 IGBT: การให้คะแนนและคุณลักษณะสูงสุด: โมดูล FF400R06KE3 IGBT […]
Infineon #FZ400R17KE3 เป็นสิ่งจำเป็นสำหรับการใช้งานที่เหมาะสมและเพื่อป้องกันความเสียหายหรือความล้มเหลว มาดูการจัดอันดับและคุณสมบัติสูงสุดแต่ละรายการของส่วนประกอบนี้กัน:
Fuji 2MBI400VG-060 เป็นโมดูล IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ที่ออกแบบมาสำหรับการใช้งานพลังงานสูงที่ต้องการความสามารถในการสลับความเร็วสูงและขับเคลื่อนแรงดันไฟฟ้า ด้านล่างนี้คือคุณลักษณะ แอปพลิเคชัน และพิกัดสูงสุดของโมดูลนี้: คุณลักษณะ: แอปพลิเคชัน: พิกัดสูงสุด (Tc=25°C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น):