#PM450CG1C065 Mitsubishi PM450CG1C065 ใหม่ MISUBISHI สวิตชิ่งกำลังสูงใช้ฉนวนชนิด VCES 650V / 450 A, #PM450CG1C065 Email: sales@shunlongwei.com https://www.slw-ele.com/pm450cg1c065.html FEATURE a) Adopting Full-Gate CSTBTTM chip. b) The over-temperature protection which detects the chip surface temperature of CSTBTTM is adopted. c) Error output signal is available from each protection upper and lower arm of IPM. […]
Mitsubishi QM150DY-2HBK คือโมดูล IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ที่ออกแบบมาสำหรับการใช้งานสวิตช์กำลังสูง ต่อไปนี้เป็นข้อกำหนดและข้อมูลที่สำคัญบางประการ: การใช้งาน: โมดูลนี้เหมาะสำหรับการใช้งานที่หลากหลาย ได้แก่:
20 ตุลาคม 2023 — ตามแหล่งข่าวระบุว่า Mitsubishi กำลังพิจารณาเข้าสู่อุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ด้วยการประมูลให้กับ Shinko Electric Industries ซึ่งเป็นบริษัทในเครือบรรจุภัณฑ์ชิปของ Fujitsu แหล่งข่าวกล่าวว่า Mitsubishi ได้จัดตั้งทีมงานขึ้นเพื่อสำรวจความเป็นไปได้ในการเข้าสู่กระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์แบ็คเอนด์ (บรรจุภัณฑ์และการทดสอบ) ว่ากันว่าฟูจิตสึได้ตัดสินใจ […]
Mitsubishi MG100H2CL1 เป็นโมดูล IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ที่มีคุณสมบัติและข้อมูลจำเพาะเฉพาะ นี่คือข้อมูลบางส่วนเกี่ยวกับโมดูลนี้:
Mitsubishi QM150DY-24 เป็นโมดูลทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์กำลังที่มีคุณสมบัติและข้อมูลจำเพาะเฉพาะ นี่คือข้อมูลบางส่วนเกี่ยวกับโมดูลนี้:
Mitsubishi CM450DX-24T คือโมดูล IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ที่ผลิตโดย Mitsubishi Electric ต่อไปนี้เป็นข้อกำหนดและข้อมูลสำคัญบางส่วนเกี่ยวกับโมดูลนี้: โมดูล IGBT เช่น Mitsubishi CM450DX-24T เป็นส่วนประกอบสำคัญในการใช้งานอิเล็กทรอนิกส์ทางอุตสาหกรรมและกำลังสูงต่างๆ ซึ่งจำเป็นต้องมีการสลับและควบคุมกระแสและแรงดันไฟฟ้าสูงอย่างมีประสิทธิภาพ
โมดูล IGBT ของ Mitsubishi RM25TN-2H ต่อไปนี้เป็นบทสรุปของข้อกำหนดสำคัญ: ข้อมูลจำเพาะเหล่านี้ให้ข้อมูลที่สำคัญสำหรับการใช้งานโมดูล IGBT ของ Mitsubishi RM25TN-2H ในการใช้งานต่างๆ อย่างปลอดภัยและมีประสิทธิภาพ การปฏิบัติตามข้อกำหนดเหล่านี้เป็นสิ่งสำคัญเพื่อให้แน่ใจว่าโมดูลทำงานอย่างเหมาะสมและมีอายุการใช้งานยาวนาน
Mitsubishi PM75CL1B060 คือโมดูล IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ที่ออกแบบมาสำหรับอินเวอร์เตอร์และไดรฟ์ โดยมีคุณสมบัติการป้องกันและการควบคุมในตัว นี่คือคุณสมบัติหลักและข้อมูลจำเพาะของโมดูลนี้:
โมดูล IGBT ของ Mitsubishi CM150DY-24A: เพิ่มศักยภาพให้กับแอปพลิเคชันการสลับ ค้นพบโมดูล IGBT ของ Mitsubishi CM150DY-24A ซึ่งเป็นโมดูล A-series Dual IGBTMOD™ แบบไดนามิก 1200V ที่ได้รับการออกแบบมาเพื่อปฏิวัติแอปพลิเคชันการสลับ โมดูลนี้ประกอบด้วยทรานซิสเตอร์ IGBT สองตัวที่กำหนดค่าไว้ในการตั้งค่าฮาล์ฟบริดจ์ โดยแต่ละตัวมีไดโอดอิสระแบบล้ออิสระกู้คืนที่เชื่อมต่อแบบย้อนกลับได้เร็วเป็นพิเศษ มันแนะนำคุณสมบัติขั้นสูงในขณะที่ทำให้มั่นใจในการประกอบที่ง่ายขึ้นและเหนือกว่า […]