CY CY7C1021V33-12VCT متوفر في المخزن

#CY7C1021V33-12VCT CY CY7C1021V33-12VCT قياسي جديد SRAM ، 64KX16 ، 12ns ، CMOS ، PDSO44 ، 0.400 بوصة ، بلاستيك ، SOJ-44 ، CY7C1021V33-12VCT الصور ، CY7C1021V33-12VCT السعر ، # CY7C1021V33-12VCT المورد
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/cy7c1021v33-12vct.html

-----------------------

رقم جزء الشركة المصنعة: CY7C1021V33-12VCT
رمز دورة الحياة الجزئية: مهمل
الشركة المصنعة Ihs: CYPRESS أشباه الموصلات CORP
كود حزمة الجزء: SOJ
وصف العبوة: 0.400 بوصة ، بلاستيك ، SOJ-44
دبوس عدد: 44
كود ECCN: 3A991.B.2.B
كود HTS: 8542.32.00.41
الشركة المصنعة: السرو أشباه الموصلات
ترتيب المخاطرة: 8.1
وقت الوصول الأقصى: 12 نانوثانية
JESD-30 كود: R-PDSO-J44
الطول: 28.575 مم
كثافة الذاكرة: 1048576 بت
مكبر الصوت : يدعم، مع دعم ميكروفون مدمج لمنع الضوضاء IC النوع: SRAM قياسي
عرض الذاكرة: 16
عدد الوظائف: 1
عدد المنافذ: 1
عدد المحطات: 44
عدد الكلمات: 65536 كلمة
عدد الكلمات كود: 64000
وضع التشغيل: ASYNCHRONOUS
درجة حرارة التشغيل: 70 درجة مئوية
المنظمة: 64KX16
خصائص الإخراج: 3-STATE
تمكين الإخراج: نعم
مواد جسم العبوة: بلاستيك / إيبوكسي
كود الحزمة: SOJ
شكل العبوة: مستطيلة
نمط العبوة: مخطط صغير
متوازي / مسلسل: موازي
حالة التأهيل: غير مؤهل
ارتفاع الجلوس: 3.7592 ملم
دعم و إمداد الجهد االكهربى-الحد الأقصى (Vsup): 3.63 فولت
دعم و إمداد الجهد االكهربى- الحد الأدنى (Vsup): 2.97 فولت
دعم و إمداد الجهد االكهربى-Nom (Vsup): 3.3 فولت
تركيب السطح: نعم
تكنولوجيا: كموس
درجة الحرارة: تجاري
شكل المحطة: J BEND
الملعب الطرفي: 1.27 ملم
موقف المحطة: DUAL
العرض: 10.16 مم
معيار SRAM ، 64KX16 ، 12ns ، CMOS ، PDSO44 ، 0.400 بوصة ، بلاستيك ، SOJ-44