أوراق البيانات:Sxx08xSx، Sxx08x Seriesدليل SCR، 1A-70Aصور المنتج:DPAK_369D #S8008 فولت Littelfuse Inc S8008V مقوم جديد للتحكم بالسيليكون، 8A I(T)RMS، 5100mA I(T)، 800V V(DRM)، 800V V(RRM)، عنصر واحد، TO-1AA، متوافق مع ROHS، بلاستيك، IPAK-251، S3V الصور، سعر S8008V، #S8008V المورد
-----------------------
البريد الإلكتروني: [البريد الإلكتروني محمي]
-----------------------
البريد الإلكتروني: [البريد الإلكتروني محمي]
-----------------------
Manufacturer Part Number: S8008V
كود Pbfree: نعم
كود دورة الحياة الجزئية: نشط
الشركة المصنعة Ihs: LITTELFUSE INC
رمز حزمة الجزء: TO-251AA
Package Description: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, IPAK-3
دبوس عدد: 3
كود HTS: 8541.30.00.80
الصانع: صغير Inc
ترتيب المخاطرة: 5.06
ميزة إضافية: UL معترف به
اتصال الحالة: ANODE
التكوين: مفرد
المعدل الحرج لارتفاع خارج الدولة الجهد االكهربى- الحد الأدنى: 200 فولت / لنا
DC Gate Trigger الحالي - الحد الأقصى: 15 مللي أمبير
مشغل بوابة DC الجهد االكهربى- الحد الأقصى: 1.5 فولت
عقد الحالي ماكس: 30 مللي أمبير
JEDEC-95 كود: TO-251AA
JESD-30 كود: R-PSIP-T3
JESD-609 كود: e3
تسرب التيار الأقصى: 0.5 مللي أمبير
مستوى حساسية الرطوبة: 2
غير متكرر Pk On-state Cur: 100 أ
عدد العناصر: 1
عدد المحطات: 3
على الدولة الحالية - ماكس: 5100 أ
درجة حرارة التشغيل: 125 درجة مئوية
درجة حرارة التشغيل - الحد الأدنى: -40 درجة مئوية
مواد جسم العبوة: بلاستيك / إيبوكسي
شكل العبوة: مستطيل
نمط العبوة: على الخط
درجة حرارة الانحدار القصوى (سل): 260
حالة التأهيل: غير مؤهل
RMS On-state Current-Max: 8 أ
الذروة المتكررة خارج الحالة الجهد االكهربى: 800 V
الجهد العكسي المتكرر: 800 فولت
التصنيف الفرعي: السيليكون المتحكم فيه مقومات
جبل السطح: لا
النهاية النهائية: ماتي تين (Sn)
شكل المحطة: من خلال حفرة
موقف المحطة: واحد
الوقت:
مقوم السيليكون المتحكم فيه، 8A I(T)RMS، 5100mA I(T)، 800V V(DRM)، 800V V(RRM)، 1 عنصر، TO-251AA، متوافق مع ROHS، بلاستيك، IPAK-3
كود Pbfree: نعم
كود دورة الحياة الجزئية: نشط
الشركة المصنعة Ihs: LITTELFUSE INC
رمز حزمة الجزء: TO-251AA
Package Description: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, IPAK-3
دبوس عدد: 3
كود HTS: 8541.30.00.80
الصانع: صغير Inc
ترتيب المخاطرة: 5.06
ميزة إضافية: UL معترف به
اتصال الحالة: ANODE
التكوين: مفرد
المعدل الحرج لارتفاع خارج الدولة الجهد االكهربى- الحد الأدنى: 200 فولت / لنا
DC Gate Trigger الحالي - الحد الأقصى: 15 مللي أمبير
مشغل بوابة DC الجهد االكهربى- الحد الأقصى: 1.5 فولت
عقد الحالي ماكس: 30 مللي أمبير
JEDEC-95 كود: TO-251AA
JESD-30 كود: R-PSIP-T3
JESD-609 كود: e3
تسرب التيار الأقصى: 0.5 مللي أمبير
مستوى حساسية الرطوبة: 2
غير متكرر Pk On-state Cur: 100 أ
عدد العناصر: 1
عدد المحطات: 3
على الدولة الحالية - ماكس: 5100 أ
درجة حرارة التشغيل: 125 درجة مئوية
درجة حرارة التشغيل - الحد الأدنى: -40 درجة مئوية
مواد جسم العبوة: بلاستيك / إيبوكسي
شكل العبوة: مستطيل
نمط العبوة: على الخط
درجة حرارة الانحدار القصوى (سل): 260
حالة التأهيل: غير مؤهل
RMS On-state Current-Max: 8 أ
الذروة المتكررة خارج الحالة الجهد االكهربى: 800 V
الجهد العكسي المتكرر: 800 فولت
التصنيف الفرعي: السيليكون المتحكم فيه مقومات
جبل السطح: لا
النهاية النهائية: ماتي تين (Sn)
شكل المحطة: من خلال حفرة
موقف المحطة: واحد
الوقت:
مقوم السيليكون المتحكم فيه، 8A I(T)RMS، 5100mA I(T)، 800V V(DRM)، 800V V(RRM)، 1 عنصر، TO-251AA، متوافق مع ROHS، بلاستيك، IPAK-3