وفقًا لـ Nikkan Kogyo Shimbun ، تخطط شركة Micron لاستثمار 800 مليار ين (حوالي 7 مليارات دولار أمريكي) لبناء مصنع DRAM جديد متقدم بالقرب من مصنعها في محافظة هيروشيما ، اليابان ، ومن المتوقع أن يبدأ الإنتاج الضخم في عام 2024.
وأشار التقرير إلى أن شركة ميكرون خططت في الأصل لبناء المصنع الجديد في سنغافورة أو منطقة تايوان ، ولكن بعد النظر في أمن سلسلة التوريد وعوامل أخرى ، اختارت أخيرًا مقاطعة هيروشيما باليابان.
باعتبارها ثالث أكبر شركة مصنعة لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) في العالم، أعلنت شركة ميكرون في يونيو من هذا العام أنها بدأت الإنتاج الضخم للجيل الرابع من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) بدقة 10 نانومتر. وقال الرئيس التنفيذي سانجاي ميهروترا في نفس الشهر إنه سيوسع الاستثمار ويتعاون مع مصانع المعدات والمواد اليابانية، خاصة في تطوير الجيل الخامس من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM). التكنلوجيا.