أصدرت شركة Toshiba Electronics Europe GmbH طاقة جديدة لقناة N 150 فولت MOSFET استنادًا إلى أحدث جيل من عملية U-MOS X-H Trench. الجديد MOSFET تم إنشاء (TPH9R00CQ5) خصيصًا لإمدادات الطاقة عالية الأداء مثل تلك المستخدمة في محطات الاتصالات الأساسية والتطبيقات الصناعية الأخرى.
مع الحد الأقصى لتصنيف VDSS البالغ 150 فولت والمعالجة الحالية (المعرف) 64 أمبير ، يوفر الجهاز الجديد مقاومة منخفضة جدًا لمصدر التصريف (RDS (ON)) تبلغ 9 مللي أوم (كحد أقصى). يمثل هذا انخفاضًا بنسبة تزيد عن 40٪ مقارنة بمنتج الجيل السابق TPH1500CNH1.
في حلول الطاقة عالية الأداء التي تستخدم التصحيح المتزامن ، يعد أداء الاسترداد العكسي مهمًا للغاية. نظرًا لتضمين الصمام الثنائي عالي السرعة للجسم ، يقلل الجهاز الجديد من رسوم الاسترداد العكسي (Qrr) بحوالي 74٪ (إلى نوع 34nC) عند مقارنته بجهاز موجود مثل TPH9R00CQH. بالإضافة إلى ذلك ، فإن وقت الاسترداد العكسي (trr) البالغ 40 ثانية فقط هو تحسن بنسبة تزيد عن 40٪ مقارنة بالأجهزة السابقة.
إلى جانب شحنة بوابة منخفضة (Qg) تبلغ 44 درجة مئوية فقط ، تعمل هذه التحسينات على تقليل الخسائر بشكل كبير وزيادة كثافة الطاقة في حلول الطاقة عالية الأداء والفعالة. تعتبر درجة حرارة القناة 175 درجة مئوية (كحد أقصى) رائعة بالنسبة لـ الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة مع الصمام الثنائي عالي السرعة وسيوفر للمصمم مزيدًا من الإرتفاع الحراري.
يعمل الجهاز الجديد أيضًا على تقليل الفولتية المرتفعة الناتجة أثناء التبديل ، وبالتالي تحسين خصائص EMI للتصميمات وتقليل الحاجة إلى التصفية. إنه موجود في حزمة SOP Advance (N) متعددة الاستخدامات ومثبتة على السطح بقياس 4.9 مم × 6.1 مم × 1 مم فقط.
لدعم المصممين ، صممت الشركة نموذج G0 SPICE للتحقق السريع من الدارة الكهربائية وظيفة ونماذج G2 SPICE عالية الدقة لاستنساخ دقيق للخصائص العابرة.
يتم تقديم المزيد من دعم التصميم في تصميمات مرجعية متقدمة ، وهي متاحة الآن من موقع الشركة على الويب. تتضمن هذه وحدة DC-DC معززة غير معزولة بقدرة 1 كيلو وات محولأو المعلم ثلاث مراحل عاكس متعدد المستويات قائم على MOSFET ومحول DC-DC جسر كامل 1kW - وكلها تستخدم الجهاز الجديد.
عرض المزيد : وحدات IGBT | شاشات الكريستال السائل | مكونات إلكترونية