أعلنت Nexperia أن ملف "Power Live" سيعقد المؤتمر الافتراضي في الفترة من 21 إلى 23 سبتمبر. بناءً على نجاح الحدث الافتتاحي العام الماضي ، سيغطي الحدث الموسع الذي يستمر لمدة ثلاثة أيام مجموعة واسعة من الموضوعات المتعلقة بإلكترونيات الطاقة التي تتميز بأجهزة GaN ، الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة، الثنائيات الكهربائية والترانزستورات ثنائية القطب لتطبيقات السيارات والصناعية.
ستتضمن أبرز الأحداث في الجلسة ما يلي:
- كهربي حراري بالكامل MOSFET الموديلات
معاينة تفصيلية للطاقة الحرارية الكهربائية الجديدة من Nexperia MOSFET النماذج، والتي يمكن أن تمثل بدقة الخصائص الثابتة والديناميكية للأجهزة ضمن المحاكاة وتقلل من مخاطر مشكلات التوافق الكهرومغناطيسي (EMC) التي يتم التعرف عليها عادةً في وقت متأخر من عملية التصميم.
- تقييم 650V GaN CCPAK
ميزات وفوائد لوحة التقييم القادمة لقياس أداء أجهزة GaN CCPAK باستخدام اختبار النبض المزدوج.
- التصميم بقوة MOSFETs في التطبيقات الصناعية
لماذا ومتى تحتاج إلى 500 A MOSFET ، وتحسين الخصائص الرئيسية ، وإدارة منحنيات SOA الحالية والساخنة.
- مقومات شوتكي ، سيليكون الجرمانيوم أو مقوم الاسترداد (PN)؟
كيفية تحقيق كفاءة وموثوقية إضافية في تطبيقات السيارات مثل محرك LED أو محرك الملف اللولبي عن طريق اختيار الصمام الثنائي للطاقة الأكثر ملاءمة.
وسيتضمن جدول الأعمال الكامل عروضًا تقديمية حية تدعو المهندسين للمناقشة والمساهمة في بعض أكبر تحديات اليوم عند التصميم باستخدام مكونات الطاقة، بالإضافة إلى دراسات الحالة والمساهمات من شركاء Nexperia الكرام. يمكن للحاضرين أيضًا مشاهدة خبراء الطاقة المقيمين في Nexperia وهم يقدمون الأحدث التكنلوجيا العروض التوضيحية مباشرة من مختبرات الشركة العالمية طوال فترة الحدث.
ستختتم حلقة نقاش GaN التي حضرها كل من Nexperia وخبراء الصناعة ، حدث "Power Live" يوم الخميس ، 23 سبتمبر. سيكون هذا منتدى مفتوحًا لمناقشة أفكار وتأثيرات التكنولوجيا والسوق. نرحب بالمساهمات من المشاركين.
وتعليقًا على برنامج "Power Live" ، قال Robby Ferdinandus ، الرئيس العالمي للتسويق في Nexperia: "كانت التعليقات التي حصلنا عليها من حدثنا الأول العام الماضي ممتازة. تم تسجيل أكثر من 700 مهندس للحضور ، وقال العديد منهم إنهم وجدوا أنه لا يقدر بثمن على وجه الخصوص أن تكون قادرًا على التفاعل مع أشخاص آخرين متشابهين في التفكير في الجلسات المباشرة لمناقشة تحديات التصميم المشتركة ".
• يتم تحرير الجدول الزمني الكامل للحدث حاليا. يمكن طرح الأسئلة الخاصة بلوحة GaN باستخدام النموذج الموجود في صفحة التسجيل. سجل مجانا هنا.