#SST39VF080-90-4C-EI SST SST39VF080-90-4C-EI New Flash، 1MX8، 90ns، PDSO40، 10 X 20 MM، MO-142CD، TSOP1-40، SST39VF080-90-4C-EI pictures، SST39VF080-90-4C-EI price، # SST39VF080 -90-4C-EI المورد
-----------------------
البريد الإلكتروني: [البريد الإلكتروني محمي]
-----------------------
البريد الإلكتروني: [البريد الإلكتروني محمي]
https://www.slw-ele.com/sst39vf080-90-4c-ei.html
-----------------------
رقم جزء الشركة المصنعة: SST39VF080-90-4C-EI
كود Rohs: لا
رمز دورة الحياة الجزئية: مهمل
الشركة المصنعة IHS: تخزين السيليكون للمحركات التكنولوجية INC
كود حزمة الجزء: TSOP1
وصف العبوة: 10 × 20 مم ، MO-142CD ، TSOP1-40
دبوس عدد: 40
كود ECCN: EAR99
كود HTS: 8542.32.00.51
الشركة المصنعة: تقنية تخزين السيليكون
ترتيب المخاطرة: 5.84
وقت الوصول الأقصى: 90 نانوثانية
واجهة مستخدم الأمر: نعم
واجهة الفلاش المشتركة: نعم
استقصاء البيانات: نعم
JESD-30 كود: R-PDSO-G40
JESD-609 كود: e0
الطول: 18.4 مم
كثافة الذاكرة: 8388608 بت
مكبر الصوت : يدعم، مع دعم ميكروفون مدمج لمنع الضوضاء IC النوع: فلاش
عرض الذاكرة: 8
عدد الوظائف: 1
عدد القطاعات / الحجم: 256،XNUMX،XNUMX،XNUMX
عدد المحطات: 40
عدد الكلمات: 1048576 كلمة
عدد الكلمات كود: 1000000
وضع التشغيل: ASYNCHRONOUS
درجة حرارة التشغيل: 70 درجة مئوية
المنظمة: 1MX8
مواد جسم العبوة: بلاستيك / إيبوكسي
كود الحزمة: TSOP1
رمز معادلة العبوة: TSSOP40، .8,20
شكل العبوة: مستطيل
نمط العبوة: مخطط صغير ، ملف تعريف رفيع
متوازي / مسلسل: موازي
درجة حرارة الانحدار القصوى (سل): غير محدد
الطاقة المستلزمات: 3 / 3.3 فولت
برمجة وتطوير الجهد االكهربى: 2.7 V
حالة التأهيل: غير مؤهل
ارتفاع الجلوس: 1.2 ملم
حجم القطاع: 4 كيلو
الاستعداد الحالي - الحد الأقصى: 0.00002 أ
التصنيف الفرعي: ذكريات فلاش
العرض الحالي - ماكس: 0.03 مللي أمبير
دعم و إمداد الجهد االكهربى-الحد الأقصى (Vsup): 3.6 فولت
دعم و إمداد الجهد االكهربى- الحد الأدنى (Vsup): 2.7 فولت
دعم و إمداد الجهد االكهربى-Nom (Vsup): 3 فولت
تركيب السطح: نعم
التكنولوجيا: CMOS
درجة الحرارة: تجاري
إنهاء المحطة: القصدير / الرصاص (Sn / Pb)
شكل المحطة: جناح النورس
الملعب الطرفي: 0.5 ملم
موقف المحطة: DUAL
الوقت:
فلاش ، 1MX8 ، 90ns ، PDSO40 ، 10 × 20 مم ، MO-142CD ، TSOP1-40
كود Rohs: لا
رمز دورة الحياة الجزئية: مهمل
الشركة المصنعة IHS: تخزين السيليكون للمحركات التكنولوجية INC
كود حزمة الجزء: TSOP1
وصف العبوة: 10 × 20 مم ، MO-142CD ، TSOP1-40
دبوس عدد: 40
كود ECCN: EAR99
كود HTS: 8542.32.00.51
الشركة المصنعة: تقنية تخزين السيليكون
ترتيب المخاطرة: 5.84
وقت الوصول الأقصى: 90 نانوثانية
واجهة مستخدم الأمر: نعم
واجهة الفلاش المشتركة: نعم
استقصاء البيانات: نعم
JESD-30 كود: R-PDSO-G40
JESD-609 كود: e0
الطول: 18.4 مم
كثافة الذاكرة: 8388608 بت
مكبر الصوت : يدعم، مع دعم ميكروفون مدمج لمنع الضوضاء IC النوع: فلاش
عرض الذاكرة: 8
عدد الوظائف: 1
عدد القطاعات / الحجم: 256،XNUMX،XNUMX،XNUMX
عدد المحطات: 40
عدد الكلمات: 1048576 كلمة
عدد الكلمات كود: 1000000
وضع التشغيل: ASYNCHRONOUS
درجة حرارة التشغيل: 70 درجة مئوية
المنظمة: 1MX8
مواد جسم العبوة: بلاستيك / إيبوكسي
كود الحزمة: TSOP1
رمز معادلة العبوة: TSSOP40، .8,20
شكل العبوة: مستطيل
نمط العبوة: مخطط صغير ، ملف تعريف رفيع
متوازي / مسلسل: موازي
درجة حرارة الانحدار القصوى (سل): غير محدد
الطاقة المستلزمات: 3 / 3.3 فولت
برمجة وتطوير الجهد االكهربى: 2.7 V
حالة التأهيل: غير مؤهل
ارتفاع الجلوس: 1.2 ملم
حجم القطاع: 4 كيلو
الاستعداد الحالي - الحد الأقصى: 0.00002 أ
التصنيف الفرعي: ذكريات فلاش
العرض الحالي - ماكس: 0.03 مللي أمبير
دعم و إمداد الجهد االكهربى-الحد الأقصى (Vsup): 3.6 فولت
دعم و إمداد الجهد االكهربى- الحد الأدنى (Vsup): 2.7 فولت
دعم و إمداد الجهد االكهربى-Nom (Vsup): 3 فولت
تركيب السطح: نعم
التكنولوجيا: CMOS
درجة الحرارة: تجاري
إنهاء المحطة: القصدير / الرصاص (Sn / Pb)
شكل المحطة: جناح النورس
الملعب الطرفي: 0.5 ملم
موقف المحطة: DUAL
الوقت:
فلاش ، 1MX8 ، 90ns ، PDSO40 ، 10 × 20 مم ، MO-142CD ، TSOP1-40