- BZT52H-A SOD123F 2.6 x 1.6 x 1.1 mm (plus Leitungen) und
- BZX384-A SOD323 1.7 x 1.25 x 0.95 mm (plus Leitungen)
werden als „A-Auswahl“ des Unternehmens bezeichnet, daher das Suffix im Namen.
„Durch den Austausch von B- oder C-Selection-Geräten durch Pad-kompatible A-Selection-Zener-Geräte können Ingenieure an die Grenzen der MOSFET, falls auf Limit angewendet Spannung für den Gate-Source-Pfad oder den Drain-Gate-Pfad, oder wählen Sie aus einer größeren Auswahl geeigneter Optionen MOSFET„, so Nexperia-Produktmanagerin Paula Stümer – bei der Drain-Gate-Verbindung wird der Zener ausgewählt, um den Mosfet zu durchbrechen und einzuschalten, bevor seine Drain-Source in einen Lawinendurchbruch gerät.
Testen und Messen ist eine weitere potenzielle Anwendung, so das Unternehmen.
Die Klemmenspannung von Zeners hängt im Allgemeinen viel stärker von Strom und Temperatur ab als bei Spannungsreferenzen für integrierte Schaltkreise. In diesem Fall werden Spannungen mit 5 mA bis 24 V Nennwert und 2 mA darüber angegeben, mit 25°C-Übergängen für beide.
Die maximale Verlustleistung beträgt 250 mW oder 40 W Spitze, so das Unternehmen in einer Erklärung, obwohl die Datenblätter eine maximale Gesamtverlustleistung von 300 mW für den kleineren BZX384 oder 375 oder 830 mW für den BZT52H je nach lokaler Kupferfläche angeben.
Die Dioden sind auch erhältlich, die den Automobil-Qualitätsstandards AEC-Q101 und ISO/TS16949 für den Einsatz in Fahrzeugen entsprechen, sagte Nexperia: „Die Kundenanforderungen entwickeln sich weiter, und mehr Anwendungen außerhalb der Automobilindustrie erfordern zusätzliche qualitätsbezogene Dienstleistungen wie PPAP [Produktionsteilfreigabe Prozess] und verlängerte Lebensdauer.“
Datenblätter:
BZX384-A
BZT52H-A