Nexperia hat neue 0.55 mΩ R . eingeführtDS (ein), 40-V-Strom Mosfets im hochzuverlässigen LFPAK88-Gehäuse für Automobil- (BUK7S0R5-40H) und industrielle (PSMNR55-40SSH) Anwendungen. Diese Geräte sind die niedrigsten RDS (ein) 40-V-Teile, die Nexperia produziert hat.
Nexperia behauptet, dass diese Geräte eine mehr als 50-mal höhere Leistungsdichte als herkömmliche D2PAK-Geräte sowie eine verbesserte Leistung sowohl im Avalanche- als auch im Linearmodus für höhere Zuverlässigkeit und erhöhte Robustheit bieten. Das Unternehmen führt die Leistungssteigerungen auf eine Kombination des neuesten Hochleistungs-Superjunction-Siliziums zurück Technologie mit seiner LFPAK-Kupferclip-Technologie, die es ihnen ermöglicht, mehr Silizium im Gehäuse zu verwenden.
Laut Nexperia sind diese Zahlen 1.5 – 2x besser als die der Konkurrenz und bieten mit 2.3 J die beste Einzelimpuls-Lawinenbewertung (EAS) und einen sehr starken ID-Strom von 500 A, was eher eine gemessene als eine theoretische Grenze ist.
Zusammen ermöglichen diese Leistungs- und Größenvorteile den Designern, zwei parallele Komponenten im alten Stil durch einen neuen LFPAK88 zu ersetzen. Die AEC-Q101-qualifizierten BUK7S0R5-40H-Teile zielen auf Automobilanwendungen wie Bremsen, Servolenkung, Verpolungsschutz, E-Sicherung, DC/DC-Wandler und Motorsteuerungsanwendungen ab. Die industriellen PSMNR55-40SSH MOSFETs eignen sich für Batterieisolierung, Strombegrenzung, E-Sicherung, Motorsteuerung, Synchrongleichrichtung und Lastschalteranwendungen in Elektrowerkzeugen, Haushaltsgeräten, Lüftern; sowie E-Bikes, Roller und Rollstühle.
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