#BSM25GD120DN2 EUPEC BSM25GD120DN2 Neues Trans IGBT Modul N-CH 1.2KV 35A 17-Pin EconoPACK 2A, BSM25GD120DN2 Bilder, BSM25GD120DN2 Preis, #BSM25GD120DN2 Lieferant
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Email: sales@shunlongwei.com
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BSM25GD120DN2 Infineon
Merkmal
. Leistungsmodul 3-Phasen-Vollbrücke
. Inklusive schneller Freilaufdioden
. Paket mit isolierter Bodenplatte aus Metall
Maximale Bewertungen
Sammler-Emitter Spannung VCE 1200V
Collecor-Tor Spannung RGE=20kΩ VCGR 1200V
Gate-Emitter Spannung VGES: ± 20V
DC Kollektorstrom TC=25°C IC: 35A
DC Kollektorstrom TC=80°C IC: 25A
Kollektorstrom Icp: 400A
Verlustleistung pro IGBT Tc=25°C Pc:200W
Isolationsprüfspannung, t=1min. Sicht: 2500 VAC
Betriebsübergangstemperatur Tj: + 150 ° C.
Lagertemperatur Tstg: -40 bis + 125 ° C.
Merkmal
. Leistungsmodul 3-Phasen-Vollbrücke
. Inklusive schneller Freilaufdioden
. Paket mit isolierter Bodenplatte aus Metall
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Gate-Emitter Spannung VGES: ± 20V
DC Kollektorstrom TC=25°C IC: 35A
DC Kollektorstrom TC=80°C IC: 25A
Kollektorstrom Icp: 400A
Verlustleistung pro IGBT Tc=25°C Pc:200W
Isolationsprüfspannung, t=1min. Sicht: 2500 VAC
Betriebsübergangstemperatur Tj: + 150 ° C.
Lagertemperatur Tstg: -40 bis + 125 ° C.