#BSM50GD60DN2 Eupec BSM50GD60DN2 Neu IGBT Power Modul (Leistungsmodul 3-Phasen-Vollbrücke inklusive schneller Freilaufdioden), BSM50GD60DN2-Bilder, BSM50GD60DN2-Preis, #BSM50GD60DN2-Lieferant
-----------------------
E-Mail: sales@shunlongwei.com
-----------------------
E-Mail: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Das BSM50GD60DN2 ist ein IGBT-Low-Power-Modul mit schnellen Freilaufdioden und isolierter Metallgrundplatte.
3-phasige Vollbrücke
100ns Anstiegszeit
100ns Herbstzeit
± 20 V Gate-Emitter-Spannung
Sammler Emitter Spannung V (br) ceo: 600 V.
Kollektor-Emitter-Spannung Vces: 3V
DC-Kollektorstrom: 72A
Anzahl der Pins: 17
Maximale Betriebstemperatur: 125 ° C
Betriebstemperatur min: -40 ° C.
Verlustleistung Pd: 350W
SVHC: Zu empfehlen
Transistorgehäusestil: EconoPACK
Transistorpolarität: N-Kanal
IGBT-Leistungsmodul (Leistungsmodul 3-Phasen-Vollbrücke einschließlich schneller Freilaufdioden)
Shunlongwei prüfte jedes BSM50GD60DN2 vor dem Versand, alle BSM50GD60DN2 mit 6 Monaten Garantie.