#F4-150R06KL4 EUPEC F4-150R06KL4 Neues isoliertes Gate Bipolar Transistor 180A I(C) 600V V(BR)CES N-Kanal MODULE-24, F4-150R06KL4 pictures, F4-150R06KL4 price, #F4-150R06KL4 supplier
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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Hersteller-Teilenummer: F4-150R06KL4
Pbfree Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Aktiv
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Teilepaketcode: MODUL
Paketbeschreibung: FLANSCHHALTERUNG, R-XUFM-X24
Pin-Anzahl: 24
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Infineon Technologien AG
Risikorang: 5.19
Gehäuseverbindung: ISOLIERT
Kollektorstrom-Max (IC): 180 A.
Sammler-Emitter Spannung-Max: 600 V.
Konfiguration: 2 BANKEN, SERIE ANGESCHLOSSEN, MITTELHahn, 2 ELEMENTE MIT EINGEBAUTER DIODE UND THERMISTOR
Gate-Emitter Spannung-Max: 20 V.
JESD-30-Code: R-XUFM-X24
Anzahl der Elemente: 4
Anzahl der Terminals: 24
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Verpackungskörpermaterial: NICHT SPEZIFIZIERT
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: FLANSCHHALTERUNG
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Verlustleistung-Max (Abs): 570 W.
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: Isolierte Gate-BIP-Transistoren
Aufputz: NR
Terminalform: NICHT SPEZIFIZIERT
Anschlussposition: OBER
Uhrzeit
Bipolartransistor mit isoliertem Gate 180A I (C) 600 V V (BR) CES N-Kanal-MODUL-24
Pbfree Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Aktiv
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Teilepaketcode: MODUL
Paketbeschreibung: FLANSCHHALTERUNG, R-XUFM-X24
Pin-Anzahl: 24
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Infineon Technologien AG
Risikorang: 5.19
Gehäuseverbindung: ISOLIERT
Kollektorstrom-Max (IC): 180 A.
Sammler-Emitter Spannung-Max: 600 V.
Konfiguration: 2 BANKEN, SERIE ANGESCHLOSSEN, MITTELHahn, 2 ELEMENTE MIT EINGEBAUTER DIODE UND THERMISTOR
Gate-Emitter Spannung-Max: 20 V.
JESD-30-Code: R-XUFM-X24
Anzahl der Elemente: 4
Anzahl der Terminals: 24
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Verpackungskörpermaterial: NICHT SPEZIFIZIERT
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: FLANSCHHALTERUNG
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Verlustleistung-Max (Abs): 570 W.
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: Isolierte Gate-BIP-Transistoren
Aufputz: NR
Terminalform: NICHT SPEZIFIZIERT
Anschlussposition: OBER
Uhrzeit
Bipolartransistor mit isoliertem Gate 180A I (C) 600 V V (BR) CES N-Kanal-MODUL-24