#FP10R12NT3 EUPEC FP10R12NT3 Neu IGBT Module N-CH 1.2 kV 18A; 10A / 1200V / PIM, FP10R12NT3 Bilder, FP10R12NT3 Preis, # FP10R12NT3 Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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FP10R12NT3
Hersteller: Infineon
Produktkategorie: IGBT Module
Produkt: IGBT Siliziummodule
Konfiguration: Sechskant
Sammler-Emitter Spannung VCEO-Max.: 1200 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 ° C: 18 A
Maximale Betriebstemperatur: + 125 C
Paket / Fall: EUPEC
Marke: Infineon Technologies
Maximaler Gate-Emitter Spannung: +/- 20 V.
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C.
Montageart: Zucht
Factory Pack Menge: 16
IGBT-Module N-CH 1.2 kV 18A; 10A / 1200V / PIM
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