#FP35R12W2T4 EUPEC FP35R12W2T4 Neues Bipolar mit isoliertem Gate Transistor 54A I(C) 1200V V(BR)CES N-Kanal MODULE-35, FP35R12W2T4 pictures, FP35R12W2T4 price, #FP35R12W2T4 supplier
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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Hersteller-Teilenummer: FP35R12W2T4
Pbfree Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Aktiv
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Teilepaketcode: MODUL
Paketbeschreibung: FLANSCHHALTERUNG, R-XUFM-X23
Pin-Anzahl: 35
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Infineon Technologies AG
Risikorang: 2.06
Gehäuseverbindung: ISOLIERT
Sammler Strom-Max (IC): 54 A
Sammler-Emitter Spannung-Max: 1200 V.
Konfiguration: KOMPLEX
Gate-Emitter Spannung-Max: 20 V.
JESD-30-Code: R-XUFM-X23
Anzahl der Elemente: 7
Anzahl der Terminals: 23
Betriebstemperatur-Max: 175 ° C.
Verpackungskörpermaterial: NICHT SPEZIFIZIERT
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: FLANSCHHALTERUNG
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Verlustleistung-Max (Abs): 215 W.
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: Isolierte Gate-BIP-Transistoren
Aufputz: NR
Terminalform: NICHT SPEZIFIZIERT
Anschlussposition: OBER
Uhrzeit
Bipolartransistor mit isoliertem Gate 54A I (C) 1200 V V (BR) CES N-Kanal-MODUL-35
Pbfree Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Aktiv
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Teilepaketcode: MODUL
Paketbeschreibung: FLANSCHHALTERUNG, R-XUFM-X23
Pin-Anzahl: 35
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Infineon Technologies AG
Risikorang: 2.06
Gehäuseverbindung: ISOLIERT
Sammler Strom-Max (IC): 54 A
Sammler-Emitter Spannung-Max: 1200 V.
Konfiguration: KOMPLEX
Gate-Emitter Spannung-Max: 20 V.
JESD-30-Code: R-XUFM-X23
Anzahl der Elemente: 7
Anzahl der Terminals: 23
Betriebstemperatur-Max: 175 ° C.
Verpackungskörpermaterial: NICHT SPEZIFIZIERT
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: FLANSCHHALTERUNG
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Verlustleistung-Max (Abs): 215 W.
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: Isolierte Gate-BIP-Transistoren
Aufputz: NR
Terminalform: NICHT SPEZIFIZIERT
Anschlussposition: OBER
Uhrzeit
Bipolartransistor mit isoliertem Gate 54A I (C) 1200 V V (BR) CES N-Kanal-MODUL-35