#FS150R12KT3 Eupec FS150R12KT3 Neu IGBT Module N-CH 1.2KV 200A, FS150R12KT3 Bilder, FS150R12KT3 Preis, # FS150R12KT3 Lieferant
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Email: sales@shunlongwei.com
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FS150R12KT3
Produktkategorie: IGBT Module
Hersteller: Infineon
Produkt: IGBT Siliziummodule
Konfiguration: Hex
Sammler-Emitter Spannung VCEO max: 1200 V.
Kollektor-Emitter-Sättigung Spannung: 2.15 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 ° C: 200 A.
Gate-Emitter-Leckstrom: 400 nA
Pd - Verlustleistung: 700 W.
Paket / Koffer: Econo 3
Maximale Betriebstemperatur: + 125 C
Marke: Infineon Technologies
Höhe: 17 mm
Länge: 122 mm
Maximaler Gate-Emitter Spannung: +/- 20 V
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C.
Montagestil: Schraube
Factory Pack Menge: 10
Breite: 62 mm