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FZ800R12KF4 Beschreibung
Marke: Infineon Technologies AG
Vces: 1,200 Volt Gleichstrom
IC: 800-Verstärker
Vges +/-: ± 20
Iges Max: 0.4 Mikroampere
Vge (th) Min / Max: 6.5 Volt
Vce (sat) Max: 3.2 Volt
Höhe (mm): 38
Breite (mm): 130
Tiefe (mm): 140
H x B x T (Zoll): 1.5 x 5.12 x 5.51
Nettogewicht: 3 lb 5 oz
Der FZ800R12KF4 kann bis zu 800 A oder 1200 V Strom erzeugen. Es hat sich gezeigt, dass es Energie erzeugt, die weit über die üblichen Halbleiter hinausgeht. FZ800R12KF4 verfügt über eine Hochleistungsschaltfunktion, die die Leistung von Windkraftanlagen verbessern kann. Mit einem Gewicht von nur 2.20 Pfund ist es auch bequem für den Einsatz an Windenergieanlagen geeignet. Mit robust Modulen Konstruktion, hohe Effizienz und große Zuverlässigkeit, FZ800R12KF4 ist das IGBT Transistor Modul, das auch für verschiedene Anwendungen wie Motorantriebe, USV und Solarmodule perfekt geeignet ist.
FZ800R12KF4 2.20 lbs
Zielanwendungen
FZ800R12KF4 kann in Hochleistungsschaltern, AC-Motorsteuerungen, DC-Motorsteuerungen und unterbrechungsfreien Stromversorgungen verwendet werden
Eigenschaften
Shunlongwei prüfte jeden FZ800R12KF4 vor dem Versand, alle FZ800R12KF4 mit 6 Monaten Garantie.