FUJI 1DI300ZP-120 Auf Lager

#1DI300ZP-120 FUJI 1DI300ZP-120 Neue Power Bipolar Transistor 300A I(C) 1200V V(BR)CEO 1-Element NPN Silikon-Kunststoff/Epoxidharz 5-polig, 1DI300ZP-120 Bilder, 1DI300ZP-120 Preis, #1DI300ZP-120 Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com

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Hersteller-Teilenummer: 1DI300ZP-120
Teilelebenszykluscode: Veraltet
Ihs Hersteller: FUJI ELECTRIC CO LTD
Paketbeschreibung: FLANSCHHALTERUNG, R-PUFM-X5
Pin-Anzahl: 5
Hersteller: Fuji Electric Co Ltd.
Risikorang: 5.84
Kollektorstrom-Max (IC): 300 A.
Sammler-Emitter Spannung-Max: 1200 V.
Konfiguration: DARLINGTON, 3 TRANSISTOREN MIT EINGEBAUTER DIODE UND Widerstand
Gleichstromverstärkung-min (hFE): 100
Fallzeit-Max (tf): 2000 ns
JESD-30-Code: R-PUFM-X5
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 5
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: FLANSCHHALTERUNG
Polarität / Kanaltyp: NPN
Verlustleistung Ambient-Max: 2000 W.
Verlustleistung-Max (Abs): 2000 W.
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Anstiegszeit-Max (tr): 3000 ns
Unterkategorie: BIP Allzweckleistung
Aufputz: NR
Terminalform: NICHT SPEZIFIZIERT
Anschlussposition: OBER
Transistor Element Material: SILIKON
Ausschaltzeit-Max (Ausschalten): 17000 ns
Einschaltzeit-Max (Tonne): 3000 ns
Leistung Bipolartransistor 300A I (C) 1200V V (BR) CEO 1-Element NPN Silizium Kunststoff / Epoxid 5 Pin