Fuji 6MBI200FB-060 Auf Lager

#6MBI200FB-060 Fuji 6MBI200FB-060 Neuer Bipolartransistor mit isoliertem Gate 200A I (C) 600 V V (BR) CES N-Kanal, 6MBI200FB-060 Bilder, 6MBI200FB-060 Preis, # 6MBI200FB-060 Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com

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Hersteller-Teilenummer: 6MBI200FB-060
Teilelebenszykluscode: Veraltet
Ihs Hersteller: FUJI ELECTRIC CO LTD
Paketbeschreibung: FLANSCHHALTERUNG, R-PUFM-X11
Hersteller: Fuji Electric Co Ltd.
Kollektorstrom-Max (IC): 200 A.
Sammler-Emitter Spannung-Max: 600 V.
Gate-Emitter Spannung-Max: 20 V.
JESD-30-Code: R-PUFM-X11
Anzahl der Elemente: 6
Anzahl der Terminals: 11
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: FLANSCHHALTERUNG
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Verlustleistung-Max (Abs): 500 W.
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: Isolierte Gate-BIP-Transistoren
Aufputz: NR
Terminalform: NICHT SPEZIFIZIERT
Anschlussposition: OBER
Transistoranwendung: STROMREGELUNG
Transistorelementmaterial: SILIKON
Ausschaltzeit-Nom (toff): 1500 ns
Einschaltzeit-Nom (Tonne): 1500 ns
VCEsat-Max: 2.5 V.
Bipolartransistor mit isoliertem Gate 200A I (C) 600 V V (BR) CES N-Kanal