FUJI 7MBP100NA060 Auf Lager

#7MBP100NA060 FUJI 7MBP100NA060 Neuer Bipolar mit isoliertem Gate Transistor 100A I(C) 600V V(BR)CES N-Kanal, 7MBP100NA060 Bilder, 7MBP100NA060 Preis, #7MBP100NA060 Lieferant
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Hersteller-Teilenummer: 7MBP100NA060
Teilelebenszykluscode: Veraltet
Ihs Hersteller: FUJI ELECTRIC CO LTD
Paketbeschreibung: FLANSCHHALTERUNG, R-PUFM-X22
Hersteller: Fuji Electric Co Ltd.
Risikorang: 5.84
Zusätzliches Merkmal: HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT
Kollektorstrom-Max (IC): 100 A.
Sammler-Emitter Spannung-Max: 600 V.
Konfiguration: KOMPLEX
JESD-30-Code: R-PUFM-X22
Anzahl der Elemente: 7
Anzahl der Terminals: 22
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: FLANSCHHALTERUNG
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: Isolierte Gate-BIP-Transistoren
Aufputz: NR
Terminalform: NICHT SPEZIFIZIERT
Anschlussposition: OBER
Transistorelementmaterial: SILIKON
Ausschaltzeit-Nom (toff): 3600 ns
Einschaltzeit-Nom (Tonne): 300 ns
VCEsat-Max: 2.9 V.
Bipolartransistor mit isoliertem Gate 100A I (C) 600 V V (BR) CES N-Kanal