Mit innovativen Entwicklungen im internen Design setzt das neueste Modell der WE-HCF-SMT-Hochstrominduktoren von Würth Elektronik neue Maßstäbe in seiner Klasse. WE-HCF im Design von 2010 bietet deutlich bessere Eigenschaften als frühere Induktivitäten in dieser Größe: Induktivitätswerte bis zu 2 μH und Sättigungsströme bis zu 25% höher als bei ähnlichen Geräten auf dem Markt.
Die magnetisch abgeschirmte Flachdrahtspule mit MnZn-Kern besticht durch einen geringen Widerstand von 0.84 mOhm und geringe Kernverluste. Die empfohlene dreipolige Kontaktierung gewährleistet die mechanische Stabilität des Geräts, die für eine Betriebstemperatur von -40 ° C bis + 125 ° C vorgesehen ist. Mögliche Anwendungen umfassen POL-Regler für FPGA, ASIC und GPU, hocheffiziente DC-DC-Wandler, Hochstrom-Schaltnetzteile, Vorwärtswandler, Halbbrücken- und Vollbrückenwandler sowie Batterieladegeräte und Solarwechselrichter.