Die Infineon Technologies AG und die Panasonic Corporation haben eine Vereinbarung zur gemeinsamen Entwicklung und Produktion der zweiten Generation (Gen2) ihres bewährten Galliumnitrid (GaN) Technologie, was einen höheren Wirkungsgrad und eine höhere Leistungsdichte bietet. Die herausragende Leistung und Zuverlässigkeit in Kombination mit der Fähigkeit zur Produktion von 8-Zoll-GaN-on-Si-Wafern markieren Infineons strategische Ausrichtung auf die wachsende Nachfrage nach GaN-Leistungshalbleitern. Entsprechend den Marktanforderungen wird Gen2 als 650-V-GaN-HEMT entwickelt. Die Geräte ermöglichen eine einfache Bedienung und bieten ein verbessertes Preis-Leistungs-Verhältnis und zielen unter anderem auf SMPS-Anwendungen mit hohem und niedrigem Stromverbrauch, erneuerbare Energien und Motorantriebsanwendungen ab.
Galliumnitrid (GaN) bietet für viele Designs grundlegende Vorteile gegenüber Silizium. Der hervorragende spezifische dynamische Durchlasswiderstand und die kleineren Kapazitäten im Vergleich zu Silizium Mosfets qualifizieren GaN-HEMTs für das Hochgeschwindigkeitsschalten. Die daraus resultierenden Stromeinsparungen und die Reduzierung der Gesamtsystemkosten, der Betrieb bei höheren Frequenzen, die verbesserte Leistungsdichte und die Gesamtsystemeffizienz machen GaN zu einer sehr attraktiven Wahl für Konstrukteure.
„Neben den gleichen hohen Zuverlässigkeitsstandards wie bei Gen 1 profitieren Kunden mit der nächsten Generation von einer noch einfacheren Steuerung der Transistor sowie eine deutlich verbesserte Kostenposition durch den Umstieg auf eine 8-Zoll-Waferfertigung“, sagt Andreas Urschitz, Präsident von Infineon Power and Sensor Abteilung Systeme. Wie die gemeinsam entwickelten Geräte der 1. Generation, bekannt als CoolGaN™ von Infineon und X-GaN™ von Panasonic, wird die zweite Generation auf dem selbstsperrenden GaN-on-Silicon basieren Transistor Struktur. Dies in Kombination mit der unübertroffenen Robustheit der Hybrid-Drain-Embedded Gate Injection Transistor (HD-GIT)-Struktur macht diese Komponenten zum Produkt der Wahl und zu einer der langfristig zuverlässigsten Lösungen auf dem Markt.
„Wir freuen uns, unsere Partnerschaft und Zusammenarbeit mit Infineon bei GaN-Komponenten auszubauen. Im Rahmen des gemeinsamen Ansatzes werden wir in der Lage sein, Gen1- und Gen2-Geräte in hoher Qualität und basierend auf neuesten Innovationsentwicklungen einzusetzen“, sagt Tetsuzo Ueda, Associate Director of Engineering Division, Industrial Solutions Company, Panasonic Corporation.
Die Markteinführung der neuen 650-V-GaN-Gen2-Geräte ist für das erste Halbjahr 2023 geplant.