Infineon BSM150GB120DLC Auf Lager

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BSM150GB120DLC

Hersteller: Infineon

Produktkategorie: IGBT Module

RoHS: Nein

Marke: Infineon Technologies

Produkt: IGBT-Siliziummodule

Konfiguration: Dual

Sammler-Emitter Spannung VCEO-Max.: 1200 V

Kollektor-Emitter-Sättigung Spannung: 2.1 V

Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 ° C: 300 A

Gate-Emitter-Leckstrom: 400 k.A

Pd - Verlustleistung: 1.25 kW

Paket / Fall: 62mm

Maximale Betriebstemperatur: + 125 C

Maximale Gate-Emitter-Spannung: +/- 20 V.

Minimale Betriebstemperatur: - 40 C.

Montageart: Schraube

Factory Pack Menge: 10

150A / 1200V / IGBT / 2U; IGBT-Module 1200V 150A DUAL

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