#BSM300GB120DLC Infineon BSM300GB120DLC Neu 2IGBT: 300A 1200V; IGBT-Module 1200 V 300 A DUAL, BSM300GB120DLC-Bilder, BSM300GB120DLC-Preis, #BSM300GB120DLC-Lieferant
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Email: sales@shunlongwei.com
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BSM300GB120DLC
Hersteller: Infineon
Produktkategorie: IGBT-Module
RoHS: Nein
Marke: Infineon Technologies
Produkt: IGBT-Siliziummodule
Konfiguration: Dual
Sammler-Emitter Spannung VCEO max: 1200 V.
Kollektor-Emitter-Sättigung Spannung: 2.1 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 ° C: 625 A.
Gate-Emitter-Leckstrom: 400 nA
Pd - Verlustleistung: 2500 W.
Verpackung / Koffer: 62 mm
Maximale Betriebstemperatur: + 125 C
Verpackung: Tablett
Maximaler Gate-Emitter Spannung: +/- 20 V
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C.
Montagestil: Schraube
Factory Pack Menge: 10
2IGBT: 300A 1200V; IGBT-Module 1200V 300A DUAL
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