Infineon FF100R12KS4 Auf Lager

#FF100R12KS4 Infineon FF100R12KS4 Neu 100A / 1200V /IGBT/2U FF100R12KS4 100A/1200V 62mm C-Serie Modulen mit dem Fasten IGBT für Hochfrequenzumschaltung, FF100R12KS4 Bilder, FF100R12KS4 Preis, # FF100R12KS4 Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com

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Hersteller: Infineon

Produktkategorie: IGBT Module

RoHS: N

Produkt: IGBT-Siliziummodule

Konfiguration: Dual

Sammler-Emitter Spannung VCEO-Max.: 1200 V

Kollektor-Emitter-Sättigung Spannung: 3.2 V

Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 ° C: 150 A

Gate-Emitter-Leckstrom: 400 k.A

Pd - Verlustleistung: 780 W

Paket / Fall: 62mm

Minimale Betriebstemperatur: - 40 C.

Maximale Betriebstemperatur: + 125 C

Verpackung: Tablett

Größe: 30.5mm

Länge: 106.4mm

Serie: IGBT2 schnell

Technologie: Si

Breite: 61.4mm

Marke: Infineon Technologies

Montageart: Chassisbefestigung

Maximale Gate-Emitter-Spannung: 20 V

Produkttyp: IGBT-Module

Factory Pack Menge: 10

Unterkategorie: IGBTs

Teilenummern Aliase: SP000100705 FF100R12KS4HOSA1

100A / 1200V / IGBT / 2U FF100R12KS4 100A / 1200V 62 mm Modul der C-Serie mit schnellem IGBT für Hochfrequenzumschaltung

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