#FF100R12RT4 Infineon FF100R12RT4 Neuer 34 mm 1200V / 100A Doppelschalter IGBT Modulen mit schnellem TRENCHSTOP™ IGBT4 und emittergesteuerte 4 Dioden., FF100R12RT4 Bilder, FF100R12RT4 Preis, #FF100R12RT4 Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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FF100R12RT4 Datenblatt
Typische Anwendungen
• Hochleistungswandler
• Motorantriebe
• USV-Systeme
Elektrische Eigenschaften
• Erweiterte Betriebstemperatur Tvjop
• Geringe Schaltverluste
• Niedriger VCEsat
• Tvjop = 150 ° C.
• VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizienten
MaximumRatedValues
Kollektor Emitter Sperrspannung Kollektor-Emitter-Spannung Tvj = 25 ° C VCES 1200 V.
Typische Anwendungen
• Hochleistungswandler
• Motorantriebe
• USV-Systeme
Elektrische Eigenschaften
• Erweiterte Betriebstemperatur Tvjop
• Geringe Schaltverluste
• Niedriger VCEsat
• Tvjop = 150 ° C.
• VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizienten
MaximumRatedValues
Kollektor Emitter Sperrspannung Kollektor-Emitter-Spannung Tvj = 25 ° C VCES 1200 V.
Kollektor Dauergleichstrom ContinuousD Ccollectorcurrent TC = 100 ° C, Tvj max = 175 ° C. IC nom 100 A.
Periodischer Kollektor Spitzenstrom Wiederholter Spitzenkollektorstrom tP = 1 ms ICRM 200 A.
Gesamtverlustleistung Gesamtverlustleistung TC = 25 ° C, Tvj max = 175 ° C Ptot 555 W.
Gate Emitter Spitzenspannung Gate Emitter Spitzenspannung VGES +/- 20 V.
Temperatur im Schaltbetrieb Temperatur unter Schaltbedingungen Tvj op -40 150 ° C.
34 mm 1200V / 100A Doppelschalter IGBT Modul mit schnellem TRENCHSTOP ™ IGBT4 und emittergesteuerter 4-Diode.
Shunlongwei inspizierte jeden FF100R12RT4 vor dem Versand, alle FF100R12RT4 mit 6 Monaten Garantie.