Infineon FF400R33KF2C Auf Lager

#FF400R33KF2C Infineon FF400R33KF2C Neu 3300 V 400 A dual IGBT Modulen 3300V 400A DUAL, FF400R33KF2C Bilder, FF400R33KF2C Preis, #FF400R33KF2C Lieferant
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IHV A 3300 V, 400 A 130 mm Dual IGBT Modul mit IGBT2 und emittergesteuerte Diode – Die erfahrene Lösung für Traktions- und Industrieanwendungen.

Produkt: IGBT-Siliziummodule

Konfiguration: Dual

Sammler-Emitter Spannung VCEO-Max.: 3300 V

Kollektor-Emitter-Sättigung Spannung: 3.4 V

Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 ° C: 660 A

Gate-Emitter-Leckstrom: 400 k.A

Pd - Verlustleistung: 4.8 kW

Paket / Fall: IHM

Minimale Betriebstemperatur: - 40 C.

Maximale Betriebstemperatur: + 125 C

Verpackung: Tablett

Größe: 38mm

Länge: 140mm

Serie: IGBT2

Technologie: Si

Breite: 130mm

Marke: Infineon Technologies

Montageart: Chassisbefestigung

Maximaler Gate-Emitter Spannung: 20 V

Produkttyp: IGBT-Module

Factory Pack Menge: 2

Unterkategorie: IGBTs

Teilenummern Aliase: SP000100614 FF400R33KF2CNOSA1

3300 V 400 A Dual-IGBT-Modul 3300V 400A DUAL

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