#FP75R12KT3 Infineon FP75R12KT3 Neu IGBT Module N-CH 1.2KV 105A FP75R12KT3, FP75R12KT3 Bilder, FP75R12KT3 Preis, #FP75R12KT3 Lieferant
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Email: sales@shunlongwei.com
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FP75R12KT3
Hersteller: Infineon
Produktkategorie: IGBT-Module
Produkt: IGBT-Siliziummodule
Konfiguration: Hex
Sammler-Emitter Spannung VCEO max: 1200 V.
Kollektor-Emitter-Sättigung Spannung: 2.15 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 ° C: 105 A.
Gate-Emitter-Leckstrom: 400 nA
Maximale Betriebstemperatur: + 125 C
Paket / Koffer: Econo 3
Verpackung: Tablett
Marke: Infineon Technologies
Maximaler Gate-Emitter Spannung: +/- 20 V
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C.
Montagestil: Schraube
Pd - Verlustleistung: 355 W.
Factory Pack Menge: 10
IGBT-Module N-CH 1.2KV 105A FP75R12KT3
Shunlongwei prüfte jeden FP75R12KT3 vor dem Versand, alle FP75R12KT3 mit 6 Monaten Garantie.