#FZ2400R17KE3_B2 Infineon FZ2400R17KE3_B2 Neues Modul mitschnellem Graben / Feldstopp IGBT 4 und Emitter Controlled 4 Diode, FZ2400R17KE3_B2 Bilder, FZ2400R17KE3_B2 Preis, # FZ2400R17KE3_B2 Lieferant
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FZ2400R17KE3_B2
Beschreibung Wertpaket 8IHV73-3
Konfiguration Dual Pin Count 8
Kollektor-Emitter Sperrspannung Kollektor-Emitter Spannung 1700 V
Kollektor-Dauergleichstrom Gleichstromkollektorstrom Tc = 80 ° C, Tvj = 150 ° C Icnom 2400A
Kollektor-Dauergleichstrom Gleichstromkollektorstrom Tc = 25 ° C, Tvj = 150 ° C. IC 3100A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitiver Spitzenkollektorstrom tp = 1 ms IcRM 2400A
Gesamtverlustleistung Gesamtverlustleistung Tc = 25 ° C, Tvj = 150 ° C Ptot 1250w
Gate Emitter Spitzenspannung Gate Emitter Peak Spannung ± 20 V
Betriebstemperatur der Befestigungsschraube -40 bis 125 ° C.
Modul mit schnellem Trench / Feldstopp IGBT 4 und emittergesteuerte 4-Diode
Shunlongwei prüfte jeden FZ2400R17KE3_B2 vor dem Versand, alle FZ2400R17KE3_B2 mit 6 Monaten Garantie.