Datenblätter:IRG(B,S,SL)15B60KDPbFProduktfotos:TO-263ProduktschulungsmoduleIGBT Primer-Gerät und AnwendungenHoch Spannung Integrierte Schaltkreise (HVIC-Gate-Treiber)PCN-Design/Spezifikation:IGBT D2Pak Mold Compound 16Standardpaket:2013Kategorie:Diskret Halbleiter ProdukteFamilie:IGBTs – SingleSeries:-Verpackung:Tape & Reel (TR)IGBT-Typ:NPTVoltage – Kollektor-Emitter-Zusammenbruch (Max):600VVce(on) (Max) @ Vge, IC:2.2 V @ 15 V, 15 AC Strom – Kollektor (Ic) (Max): 31 AC Strom – Kollektor gepulst (Icm): 62 A Leistung – Max: 208 W Schaltenergie: 560 µJ Eingangstyp: Standard Gate-Ladung: 56 nCTd (ein/aus) bei 25° C: 34 ns/ 184nsTestbedingung:400V, 15A, 22 Ohm, 15VReverse Recovery Time (trr):92nsPackage / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABMontagetyp:Surface MountSupplier Device Package:D2PAKDynamischer Katalog:Standard IGBTsOther Namen: IRGS15B60KDTRRP-NDIRGS15B60KDTRRPTR #IRGS15B60KDTRRP Internationaler Gleichrichter IRGS15B60KDTRRP New Insulated Gate Bipolar Transistor,, IRGS15B60KDTRRP Bilder, IRGS15B60KDTRRP Preis, #IRGS15B60KDTRRP Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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Hersteller-Teilenummer: IRGS15B60KDTRRP
Teilelebenszykluscode: Veraltet
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES AG
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Infineon Technologies AG
Risikorang: 5.82
Bipolartransistor mit isoliertem Gate,
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