#IRG4BC40SPBF IR IRG4BC40SPBF Neue Bipolar-Elektrode mit isoliertem Gate Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Kanal, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN, IRG4BC40SPBF Bilder, IRG4BC40SPBF Preis, #IRG4BC40SPBF Lieferant
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Hersteller-Teilenummer: IRG4BC40SPBF
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Nicht empfohlen
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Paketbeschreibung: FLANSCHHALTERUNG, R-PSFM-T3
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Infineon Technologies AG
Risikorang: 6.97
Gehäuseverbindung: SAMMLER
Sammler Strom-Max (IC): 60 A.
Sammler-Emitter Spannung-Max: 600 V.
Konfiguration: EINZELN
Fallzeit-Max (tf): 570 ns
Gate-Emitter Thr Spannung-Max: 6 V.
Gate-Emitter Spannung-Max: 20 V.
JEDEC-95-Code: TO-220AB
JESD-30-Code: R-PSFM-T3
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 3
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: FLANSCHHALTERUNG
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Verlustleistung-Max (Abs): 160 W.
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: Isolierte Gate-BIP-Transistoren
Aufputz: NR
Anschlussform: DURCHLÖCHER
Anschlussposition: EINZELN
Uhrzeit
Bipolartransistor mit isoliertem Gate, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Kanal, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Nicht empfohlen
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Paketbeschreibung: FLANSCHHALTERUNG, R-PSFM-T3
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Infineon Technologies AG
Risikorang: 6.97
Gehäuseverbindung: SAMMLER
Sammler Strom-Max (IC): 60 A.
Sammler-Emitter Spannung-Max: 600 V.
Konfiguration: EINZELN
Fallzeit-Max (tf): 570 ns
Gate-Emitter Thr Spannung-Max: 6 V.
Gate-Emitter Spannung-Max: 20 V.
JEDEC-95-Code: TO-220AB
JESD-30-Code: R-PSFM-T3
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 3
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: FLANSCHHALTERUNG
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Verlustleistung-Max (Abs): 160 W.
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: Isolierte Gate-BIP-Transistoren
Aufputz: NR
Anschlussform: DURCHLÖCHER
Anschlussposition: EINZELN
Uhrzeit
Bipolartransistor mit isoliertem Gate, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Kanal, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN