Datenblätter:IXG(H,T)24N60CStandardpaket:30Kategorie:Diskret Halbleiter ProdukteFamilie:IGBTs – SingleSeries:HiPerFAST™Packaging:TubeIGBT Typ:-Spannung – Kollektor-Emitter-Aufschlüsselung (Max): 600VVce (ein) (Max) @ Vge, IC:2.5V bei 15V, 24ACurrent – Kollektor (Ic) (Max):48ACurrent – Kollektor gepulst (Icm):96ALeistung – Max:150WSchaltenergie:240µJ (aus)Eingangstyp:StandardGate-Ladung:55nCTd (ein/aus) bei 25° C: 15 ns/75 ns Testbedingung: Reverse Recovery Time (trr): Gehäuse/Gehäuse: TO-268-3, D³Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-268AA Montagetyp: Oberflächenmontage Gerätepaket des Lieferanten: TO-268 #IXGT24N60C IXYS IXGT24N60C Neue Bipolar-Elektrode mit isoliertem Gate Transistor, 48A I(C), 600V V(BR)CES, N-Kanal, TO-268AA, D3PAK-3, IXGT24N60C Bilder, IXGT24N60C Preis, #IXGT24N60C Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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Hersteller-Teilenummer: IXGT24N60C
Pbfree Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Nicht empfohlen
Hersteller: IXYS CORP
Teilepaketcode: TO-268AA
Packungsbeschreibung: SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Pin-Anzahl: 3
Hersteller: IXYS Corporation
Risikorang: 5.68
Zusätzliche Funktion: SCHNELLES SCHALTEN
Gehäuseverbindung: SAMMLER
Sammler Strom-Max (IC): 48 A
Kollektor-Emitter-Spannung-Max: 600 V.
Konfiguration: EINZELN
Fallzeit-Max (tf): 110 ns
Gate-Emitter Thr Spannung-Max: 5 V
Gate-Emitter-Spannung-Max: 20 V.
JEDEC-95-Code: TO-268AA
JESD-30-Code: R-PSSO-G2
JESD-609-Code: e3
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe: 1
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 2
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Paketform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: KLEINE ÜBERBLICK
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Power Verlustleistung-Max (Abs): 150 W
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: Isoliertes Gate BIP Transistors
Oberflächenmontage: JA
Terminal Finish: Matte Dose (Sn)
Terminalform: GULL WING
Anschlussposition: EINZELN
Uhrzeit
Bipolartransistor mit isoliertem Gate, 48A I(C), 600V V(BR)CES, N-Kanal, TO-268AA, D3PAK-3
Pbfree Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Nicht empfohlen
Hersteller: IXYS CORP
Teilepaketcode: TO-268AA
Packungsbeschreibung: SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Pin-Anzahl: 3
Hersteller: IXYS Corporation
Risikorang: 5.68
Zusätzliche Funktion: SCHNELLES SCHALTEN
Gehäuseverbindung: SAMMLER
Sammler Strom-Max (IC): 48 A
Kollektor-Emitter-Spannung-Max: 600 V.
Konfiguration: EINZELN
Fallzeit-Max (tf): 110 ns
Gate-Emitter Thr Spannung-Max: 5 V
Gate-Emitter-Spannung-Max: 20 V.
JEDEC-95-Code: TO-268AA
JESD-30-Code: R-PSSO-G2
JESD-609-Code: e3
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe: 1
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 2
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Paketform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: KLEINE ÜBERBLICK
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Power Verlustleistung-Max (Abs): 150 W
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: Isoliertes Gate BIP Transistors
Oberflächenmontage: JA
Terminal Finish: Matte Dose (Sn)
Terminalform: GULL WING
Anschlussposition: EINZELN
Uhrzeit
Bipolartransistor mit isoliertem Gate, 48A I(C), 600V V(BR)CES, N-Kanal, TO-268AA, D3PAK-3